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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1237人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2833個 瀏覽：249474次 帖子：479個

      igbt技術(shù)

      H橋的工作原理 H橋的控制方式有哪些

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      H橋是一種用于控制電機(jī)方向和速度的電力電子電路。它由四個開關(guān)器件（可以是晶體管、MOSFET、IGBT等）組成，其布局類似于字母“H”，因此得名。

      2024-05-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 4910 0

      一種針對小功率電機(jī)驅(qū)動的全新壓注模表面貼裝型智能功率模塊

      為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中，我們采用了將IGBT和FWD集成為單個芯片中的RC-IGBT芯片，以確保有足夠的空間用于其他芯片/器件的封...

      2018-10-27 標(biāo)簽：芯片二極管IGBT 4892 0

      全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識

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      有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和...

      2013-04-16 標(biāo)簽：IGBT功率器件 4869 1

      IGBT保護(hù)電路缺陷的解決方案

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      IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。...

      2019-09-02 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路IGBT 4866 0

      英飛凌實(shí)現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

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      以對稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

      2021-02-21 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 4847 0

      IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性

      大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗，我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功...

      2022-04-19 標(biāo)簽：二極管IGBT開關(guān)損耗 4826 0

      碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

      碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

      2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFETIGBT 4825 0

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

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      當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需...

      2023-12-11 標(biāo)簽：逆變器IGBT晶體管 4799 0

      各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案，IGBT靜態(tài)和動態(tài)特性是什么？

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      M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路采用雙電源（+15V，-10V）供電，輸出負(fù)偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短路/過載保護(hù)和...

      2017-05-17 標(biāo)簽：二極管電阻igbt 4795 0

      功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

      功率器件，也稱為功率電子器件，是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分，它們具備處理高電壓和高電流的能力，是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對功率器件的詳細(xì)介紹，...

      2024-07-16 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率器件 4792 0

      淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動器IC的作用分析

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      分立式電路的一個顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù)，而柵極驅(qū)動器IC集成了對于確?？深A(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動非常重要的功能。

      2021-05-31 標(biāo)簽：MOSFETIGBT電源開關(guān) 4777 0

      汽車點(diǎn)火系統(tǒng)中的智能IGBT設(shè)計(jì)案例

      用于點(diǎn)火線圈充電的開關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變：從單個機(jī)械開關(guān)、分電器中的多個斷電器觸點(diǎn)，到安裝在分電器中或單獨(dú)電子控制模塊中的高壓達(dá)林頓雙極晶體管，再到直...

      2014-01-25 標(biāo)簽：汽車電子IGBT 4761 2

      如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動態(tài)特性呢？

      如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動態(tài)特性呢？

      IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。

      2023-07-04 標(biāo)簽：MOSFETIGBT續(xù)流二極管 4733 0

      快恢復(fù)二極管FRD的特性測試

      作為瑞能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大家庭中的重要成員，快恢復(fù)二極管-FRD以其較低的正向?qū)▔航礦F和反向恢復(fù)電荷QRR，能幫助客戶獲得較高的系統(tǒng)整機(jī)效率，兼具出色...

      2022-10-10 標(biāo)簽：IGBT快恢復(fù)二極管瑞能半導(dǎo)體 4733 0

      常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析

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      IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

      鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...

      2023-03-27 標(biāo)簽：IGBT功率器件寄生電感 4703 0

      大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

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      對于本文所述的半導(dǎo)體，該值大約是一半的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。這對100fit（單位時間間隔內(nèi)的失效次數(shù)；1fit=每小時失效1小時失-9次，即，器件工作10...

      2021-08-13 標(biāo)簽：大功率晶閘管IGBT 4692 0

      IGBT成為新能源汽車的核心是基于哪方面原因？

      對新能源車來說，電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間，最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動部分，而電機(jī)驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated G...

      2018-07-20 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT 4636 0

      雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力

      大家好，前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問：“在大功率變頻器應(yīng)用中，我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征，在實(shí)際中有可比性嗎？”感覺這個問題提的比較好，也是...

      2022-04-15 標(biāo)簽：測試逆變器IGBT 4635 0

      功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升

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      汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán)，同時得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時...

      2016-01-08 標(biāo)簽：汽車電子IGBT功率循環(huán)測試 4634 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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