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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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請教下THT通孔IGBT器件焊接起始面和焊接終止面相反焊接是否有影響
各位老師,請教下THT通孔 IGBT器件,焊接起始面和焊接終止面焊盤尺寸形狀完全相同,因焊接起始面有元件干涉,改為從焊接終止面開始焊接,通孔爬錫高度10...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結構介紹
IGBT同時集MOSFET易驅動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關參數(shù)進行測量與評估。
通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet,數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的,而實際應用中的外部...
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應用、特性、結構和設計等方面存在一些差異。下面將詳細介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
SIC比SI有什么優(yōu)勢?碳化硅優(yōu)勢的實際應用
SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
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