igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—抗輻照特性介紹

氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發(fā)的電子空穴對(duì)會(huì)對(duì)絕緣層的特性造成影響。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT MOS器件閾值電壓 1940 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（下）

上一章我們講到圖片的變化趨勢(shì)，可以按照相同的方式進(jìn)行分析，即柵極與漏極極之間的電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 等效電路 1274 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 2167 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1243 0

PN結(jié)對(duì)IGBT器件的重要性

IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié)，在正向?qū)〞r(shí)，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 933 0

IGBT器件的靈魂

根據(jù)施敏教授的拆分理論，器件由4個(gè)基本單元組成。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT PN結(jié) 666 0

淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)

在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí)，我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系，從而消除歐姆定律中的電阻R，得到電流與電壓之間的關(guān)系，但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。

2023-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT MOS 1793 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS 閾值電壓 3710 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體 IGBT 3023 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅 IGBT MOS 4408 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—反型層論述

在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到，IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）所構(gòu)成

2023-11-29 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 3549 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹

在前文的PNP結(jié)構(gòu)中，我們描述了一種現(xiàn)象，如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài)，那么就會(huì)發(fā)生失控，產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。

2023-11-29 標(biāo)簽：晶閘管 IGBT BJT 2230 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBT BJT 漏電流 968 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（1）

我們常說IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）所構(gòu)成

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 IGBT 1557 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（2）

上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系，并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對(duì)稱的。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBT PIN 載流子 804 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 IGBT 2000 0

說說IGBT中PN結(jié)的導(dǎo)通狀態(tài)

下面簡(jiǎn)要推導(dǎo)PN結(jié)導(dǎo)通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。

2023-11-28 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 IGBT 1335 0

IGBT中都有哪些PN結(jié)？PN結(jié)的組合會(huì)給IGBT帶來哪些特性？

如下圖所示為目前國際上最為主流的IGBT芯片俯視圖和截面示意圖

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT PN結(jié) 2338 0

一文解讀電荷的復(fù)合

根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率，這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 電荷 2013 0

微觀電流—漂移電流簡(jiǎn)析

IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管，實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起，一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化，是科技創(chuàng)新...

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 1407 0

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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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