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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 3115 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系(1)
我們曾在文中反復(fù)提及,電壓是電場的積分,而電場是電荷的積分,所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài),就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(3)
至此,我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲變化,而電荷對時(shí)間的變化率即對應(yīng)電流。
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)
現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入,進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓,IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減,衰減過程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
因?yàn)殡娮訌馁M(fèi)米能級高位向低位流動,因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費(fèi)米能級的彎曲方向,這里將BJT發(fā)射極到集電極的導(dǎo)帶及價(jià)帶能帶示意圖繪制如圖所示。
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運(yùn)動相互影響,這個影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)
IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件,持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下,關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴(kuò)大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡單
功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了
變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動速度,后者 在變頻空調(diào)、...
2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8069 0
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