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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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風(fēng)力發(fā)電的逆變設(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
關(guān)于驅(qū)動器/IC的峰值拉電流和灌電流能力
在大功率應(yīng)用場合,經(jīng)常用到驅(qū)動器(包括隔離驅(qū)動器、有時這也稱專用驅(qū)動IC)。而衡量其驅(qū)動能力,說白了就, 能帶多大的管子的能力,體現(xiàn)在規(guī)格書中的一些參數(shù)中。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體
IGBT短路時的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)...
2023-05-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT變流器 6120 0
采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能 而冷卻需求卻在下降
合成的碳化硅粉末自1893年以來已經(jīng)批量生產(chǎn),采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但節(jié)能效果也很顯著,而且所有這些都不會將關(guān)鍵負(fù)荷轉(zhuǎn)移到電網(wǎng)中,不會...
在設(shè)計緩沖電路時,應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小,并盡量采用低感或無感...
IGBT緩沖電路和電容分析,基于電磁互感模塊的IGBT設(shè)計
對由電力電子器件構(gòu)成的變換器進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計之前,必須分析預(yù)期的電磁環(huán)境,并從電磁干擾源,耦合途徑和敏感設(shè)備人手,找出其所處系統(tǒng)中存在的電磁干擾。然后...
PMA等離子釬焊機(jī)的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn)
原理:在陰極和噴嘴的內(nèi)壁之間產(chǎn)生電弧,輸入氣體后,氣體被陰極和噴嘴之間的電弧加熱并造成全部或部分電離,然后由噴嘴噴出形成等離子火焰,外部火焰溫度高達(dá)15...
三電系統(tǒng),即動力電池(簡稱電池)、驅(qū)動電機(jī)(簡稱電機(jī))、電機(jī)控制器(簡稱電控),也被人們成為三大件,加起來約占新能源車總成本的70%以上,是決定整車運(yùn)動...
2023-02-02 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT驅(qū)動電機(jī) 5914 0
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對于系統(tǒng)...
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 5809 0
IGBT中文翻譯為:絕緣柵雙極型晶體管。是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成,兼具了這二者的優(yōu)點(diǎn):高輸入阻抗和...
英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用
由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個更高的效率,更低的成本。
變頻器缺相故障是常見的故障之一,要知道變頻器產(chǎn)品中主要有單相220V與三相380V的區(qū)分,當(dāng)然輸入缺相檢測只存在于三相的產(chǎn)品中。圖1所示為變頻器主電路,...
高集成度智能柵極驅(qū)動光耦通吃MOSFET和IGBT簡析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動核2QD0225T12-Q解析
近年來,隨著技術(shù)進(jìn)步和國家政策支持,我國新型儲能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶側(cè)電價管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升...
2022-11-25 標(biāo)簽:IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)三電平 5742 0
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
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