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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 2169 0
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 3842 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1273 0
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池,第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 705 0
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時(shí)域模型和頻域模型,簡(jiǎn)單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實(shí)例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機(jī)理。
最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問題,聊的過程中發(fā)現(xiàn),他們最感興趣的問題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評(píng)估方法,因?yàn)檫@些問題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 9073 0
IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中所發(fā)揮的作用非常重要,IGBT的性能影響著電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性。
2023-12-05 標(biāo)簽:保護(hù)電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1649 0
下面是貼片二極管封裝圖,一般帶白線的是陰極,如果不清楚,就用萬用表調(diào)制二極管檔,當(dāng)出現(xiàn)零點(diǎn)幾伏壓降的時(shí)候,紅表筆就代表二極管陽極,黑表筆代表陰極。
下圖是兩電平橋SPWM電路的結(jié)構(gòu)圖。該電路采用兩電平、三橋臂的主電路模式,采用IGBT作為開斷元件,采用二極管構(gòu)建旁通回路,通過調(diào)制SPWM的脈沖控制信...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備...
車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 ...
電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān),如MOSFETs和IGBTs,被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...
1kA脈沖電流發(fā)生器測(cè)控電路的設(shè)計(jì)案例
脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量,而且電流幅值較大,當(dāng)采集測(cè)試時(shí),對(duì)測(cè)試設(shè)備元器件要求較高。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散,那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
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