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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
自舉升壓驅(qū)動(dòng)芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛,自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法,應(yīng)用起來(lái)十分便捷,行之有效。
IGBT開關(guān)速度調(diào)節(jié)測(cè)試,IGBT模塊一直發(fā)出雜音如何解決?
這種方式已經(jīng)在邏輯IC里盛行?,F(xiàn)在的超高速邏輯電路都采用這種結(jié)構(gòu),包括電腦中的CPU!我們已享用此原理,卻并不知道。
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
變頻器內(nèi)部是由無(wú)數(shù)個(gè)電子器件構(gòu)成的,其工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,尤其是IGBT工作在高頻狀態(tài)下,產(chǎn)生的熱量會(huì)更多。
2023-03-03 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)變頻器IGBT 7356 0
參考設(shè)計(jì):適用于半橋結(jié)構(gòu)的隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)Flybuck電源
本參考設(shè)計(jì)采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器提供正負(fù)電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側(cè)的組合,采用...
2023-05-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器BUCK 7280 0
多階段驅(qū)動(dòng)方法就是將IGBT開通關(guān)斷過(guò)程分段控制,對(duì)不同的階段采取不同的控制方法,這樣就可以盡量減小因?yàn)榭刂贫斐傻拈_關(guān)延時(shí)和開關(guān)損耗,從而在實(shí)現(xiàn)相同控...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 7211 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 7165 0
雙脈沖測(cè)試能反映IGBT實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中電應(yīng)力嗎?
通常情況下,為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性,我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)。測(cè)試平臺(tái)的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測(cè)功率器件和驅(qū)動(dòng)電路。雙脈沖...
IGBT在溫度傳感器領(lǐng)域的工作原理與設(shè)計(jì),IGBT是如何做到讓汽車自動(dòng)點(diǎn)火的
除柴油機(jī)外,所有的內(nèi)燃機(jī)中都有一個(gè)基本電路(汽車點(diǎn)火系統(tǒng))。用于點(diǎn)火線圈充電 的開關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變:從單個(gè)機(jī)械開關(guān)、分電器中的多個(gè)斷電器觸點(diǎn),到安...
說(shuō)一說(shuō)有關(guān)IGBT的一項(xiàng)比較重要的測(cè)試—雙脈沖測(cè)試
對(duì)于任何一個(gè)器件,在使用之前,無(wú)論是生產(chǎn)方還是使用方都會(huì)進(jìn)行充分的驗(yàn)證,以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。
在變頻器維修中,有時(shí)候會(huì)碰到變頻器三相電壓不平衡的問(wèn)題,空載時(shí)不報(bào)警,重載時(shí)變頻器會(huì)有輸出缺項(xiàng)報(bào)警,造成這種問(wèn)題如下。
怎樣防止IGBT線路短路?IGBT模塊化分析與設(shè)計(jì)
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗(yàn),試驗(yàn)波形如圖6所示??梢?,在關(guān)斷開通短路電流和通態(tài)短路電流時(shí),vcemax被可靠地箝位在1350v,小于vces(...
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
IGBT3的出現(xiàn),又在IGBT江湖上掀起了一場(chǎng)巨大的變革。IGBT3的元胞結(jié)構(gòu)從平面型變成了溝槽型。
2021-06-02 標(biāo)簽:IGBT 6776 0
IGBT失效場(chǎng)合:來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
BOS大功率逆變模塊主要由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、開關(guān)電源、散熱器、電解、吸收電容、驅(qū)動(dòng)板、銅板等部件相互連接組成,該模塊組采用IGBT逆變技術(shù)...
熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影...
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