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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動機(jī)的電源裝置,目前在國內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時代,汽車對于芯片的需求劇烈增加,以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五六百顆,到如今一臺具備L2駕駛級別的高配燃油車就需要...
?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革
碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來,汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長, 也...
開關(guān)基礎(chǔ)知識和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找姂T,其種類繁多,無處不在。開關(guān)有無數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動或電子...
什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理
眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件,失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個無法預(yù)知的因素,可...
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳...
2023-12-26 標(biāo)簽:電動汽車IGBT功率半導(dǎo)體 846 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于IGBT的驅(qū)動電路...
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
什么是IGBT?IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類型/特性
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件,邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型,它們每個都有自己的優(yōu)勢和一些限制。IGBT(絕緣柵...
變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大,導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個問題導(dǎo)致的后果是,輸出邏輯錯誤,控制電路被干擾,電路失效等。
2023-12-22 標(biāo)簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 789 0
igbt軟開關(guān)和硬開關(guān)的區(qū)別
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開關(guān)裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和...
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