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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場,該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生...
IGBT基礎(chǔ)知識:IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 8745 0
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?
隨著人們對電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
2023-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美IGBT 8653 0
雙脈沖開關(guān)的特性是什么,IGBT開通和關(guān)斷過程描述
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 8506 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備...
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點(diǎn),但對交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)(CAAM)的數(shù)據(jù)來看,今年一季度,乘...
2020-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 8377 0
場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 8337 0
IGBT模塊單極驅(qū)動(dòng)的特殊注意事項(xiàng)
開關(guān)IGBT T1時(shí),主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,并使T2的發(fā)射...
瞬態(tài)過電流IGBT在運(yùn)行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓...
2022-07-27 標(biāo)簽:繼電器pcb電路設(shè)計(jì) 8218 0
基于IGBT的緩沖電路怎樣選擇電容?電容大小不同導(dǎo)線該如何選擇?
在諧振電容選擇前,應(yīng)首先確定IGBT 驅(qū)動(dòng)的負(fù)載電流IGmax的最大值、外施電源V的最大值以及要求的開關(guān)管電壓上升時(shí)間Tr。因緩沖電容Cl、C2配合充放...
大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢分析
由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個(gè)要考慮的重...
2021-03-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變換器igbt 8214 0
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