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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用
根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過(guò)芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對(duì)流和輻射的形式),而大部分熱量通過(guò)...
Wolfspeed功率模塊對(duì)三相工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響
為了確保系統(tǒng)可行、正常運(yùn)行和優(yōu)化,我們使用不同的散熱器,將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%,...
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開(kāi)關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開(kāi)...
2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 384 0
IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類及其檢測(cè)方法
IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù);另一類是高倍數(shù)(可達(dá)8-10倍)的短路保護(hù)。
2024-03-01 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.7萬(wàn) 0
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會(huì)有什么影響?
可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。而IGBT的反向阻斷能力相對(duì)較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。
淺談門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)IGBT性能的影響
絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、飽...
2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)IGBT 1056 0
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測(cè)試方法》,對(duì)于T-NPC拓?fù)鋪?lái)說(shuō)也是類似的,我們接著來(lái)看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖...
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test, DPT)是一種測(cè)試方法,常用于評(píng)估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測(cè)試通過(guò)...
電機(jī)控制器工作原理:電機(jī)控制器就2個(gè)功能:逆變+控制,逆變是指將直流電逆變?yōu)轭l率、大小可調(diào)的交流電,然后根據(jù)VCU信號(hào)、各路傳感器信號(hào)控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性,其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個(gè)IGBT...
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享
所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 1.5萬(wàn) 0
IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)!EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
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