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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...
電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 272 0
柵極驅(qū)動(dòng)DCDC電源模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,高效能與高安全性是設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率...
2025-01-09 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 353 0
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐...
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
IGBT驅(qū)動(dòng)光耦:功率轉(zhuǎn)換的控制樞紐
IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能,在變頻器、電動(dòng)汽車、...
2024-12-26 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 254 0
通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量來驗(yàn)算死區(qū)時(shí)間的計(jì)算值是否足夠。
2024-12-16 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器IGBT 529 0
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱...
電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢(shì)以及市場(chǎng)前景十分樂觀,但想要在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中占有更大的份額,...
2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 434 0
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控;過壓保護(hù)一般采...
2024-12-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 311 0
所謂分立器件,顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號(hào)放...
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個(gè)專業(yè)性很強(qiáng)的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個(gè)步驟。
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