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標(biāo)簽 > HEMT
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BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 249 0
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 251 0
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 285 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 274 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 260 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 279 0
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(c...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 276 0
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎ...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 308 0
GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵HEMT 538 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-31 標(biāo)簽:GaNHEMT 153 0
TP65H035G4WS場效應(yīng)管英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-03-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管HEMT 965 0
使用ADS系統(tǒng)設(shè)計35GHz HEMT壓控振蕩器立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2010-05-17 標(biāo)簽:ADSHEMT 967 0
GaN HEMT在POE交換機中的應(yīng)用及優(yōu)勢
在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級增長以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下,POE(以太網(wǎng)供電)交換機作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)...
羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT,被先進(jìn)的日本電子元器...
HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器,專用于高性能和高頻設(shè)計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同...
搶先領(lǐng)?。「邏篊oolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特....
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲
CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識,可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電...
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