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標簽 > hbm4
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GPU集成12顆HBM4,臺積電CoWoS-L、CoW-SoW技術演進
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)日前消息,臺積電計劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術,該技術是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓練不可或缺的存儲產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛,內(nèi)存大廠加速HBM4進程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)近日據(jù)韓媒報道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲...
400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲市場牽引力
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應用的帶動下,存儲新技術新產(chǎn)品加速到來。例如數(shù)據(jù)中心市場,不僅是高帶寬HB...
三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術
據(jù)最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場...
三星電子組建HBM4團隊,旨在縮短開發(fā)周期,提升競爭力
據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
HBM4進一步打破內(nèi)存墻,Rambus控制器IP先行
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2022年11月發(fā)布的GPT-3使用1750億個參數(shù),而今年5月發(fā)布的最新版本GPT-4o則使用超過1.5萬億個參數(shù)。在過...
2024-11-19 標簽:HBM4 1184 0
在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn),而臺積電計劃利用其...
SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息,...
預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出
由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是,驗證工作可能會在2...
在半導體制造技術的持續(xù)演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了...
三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。...
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...
英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升
科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術...
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在...
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
Sangjun Hwang還表示:“正在準備開發(fā)出最適合高溫熱特性的非導電粘合膜(ncf)組裝技術和混合粘合劑(hcb)技術,并適用于hbm4產(chǎn)品?!?/p>
臺積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關鍵界面芯片大單
在科技浪潮的涌動下,臺積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領導者的地位。據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》6月24日報道,繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后,臺積電近日攜手旗...
在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產(chǎn),臺積電計劃使用其N12和...
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