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      標(biāo)簽　>　hbm4

      hbm4

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      hbm4資訊

      SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作，推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

      據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片（Base Die）性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，...

      2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM封裝gpu 675 0

      三星計(jì)劃應(yīng)用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存

      TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。

      2024-04-19 標(biāo)簽：DRAM三星半導(dǎo)體HBM 658 0

      SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

      自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

      2024-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電SK海力士HBM 706 0

      SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

      SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合...

      2024-04-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器晶圓代工SK海力士 594 0

      三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

      據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

      2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3 936 0

      HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注？

      HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注？

      當(dāng)前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場增長的關(guān)鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn)，HBM將成為數(shù)據(jù)中...

      2023-12-02 標(biāo)簽：DRAMgpu內(nèi)存 522 0

      英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

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      由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...

      2023-11-29 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 931 0

      預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

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      由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...

      2023-11-27 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 1029 0

      三星正在開發(fā)HBM4 目標(biāo)2025年供貨

      Sangjun Hwang還表示：“正在準(zhǔn)備開發(fā)出最適合高溫?zé)崽匦缘姆菍?dǎo)電粘合膜（ncf）組裝技術(shù)和混合粘合劑（hcb）技術(shù)，并適用于hbm4產(chǎn)品?！?/p>

      2023-10-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝HBM 823 0

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