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hbm4資訊

英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士攜手，2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存，能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中，英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作，旨在通過(guò)組建“三角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)...

2024-07-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電英偉達(dá)SK海力士 869 0

ASMPT與美光攜手開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中，韓國(guó)后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。據(jù)悉，ASMPT已向美光提供了...

2024-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體美光鍵合 945 0

臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子，斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4（High Band...

2024-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電 SK海力士 674 0

臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單

在科技浪潮的涌動(dòng)下，臺(tái)積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》6月24日?qǐng)?bào)道，繼獨(dú)家代工英偉達(dá)、AMD等科技巨頭AI芯片之后，臺(tái)積電近日攜手旗...

2024-06-24 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 AI 809 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在...

2024-05-30 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM 869 0

臺(tái)積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進(jìn)展。據(jù)悉，未來(lái)HBM4將采用邏輯制程進(jìn)行生產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃使用其N(xiāo)12和...

2024-05-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電 HBM HBM4 762 0

臺(tái)積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案

在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來(lái)HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺(tái)積電計(jì)劃利用其...

2024-05-20 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 HBM 1146 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會(huì)議上，三星電子代表曾表示，該公司計(jì)劃在年底前實(shí)現(xiàn)對(duì)1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見(jiàn)在明年會(huì)完成研發(fā)，...

2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程 HBM 534 0

臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前，我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿(mǎn)足HBM性能需求的...

2024-05-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電先進(jìn)制程 HBM 637 0

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 876 0

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

2024-05-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SK海力士 HBM 474 0

SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應(yīng)充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類(lèi)內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問(wèn)題，對(duì)晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠(chǎng)商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM 晶圓 SK海力士 582 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開(kāi)始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級(jí)）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道，三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 597 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場(chǎng)需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 490 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì)，旨在縮短開(kāi)發(fā)周期，提升競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 HBM 1518 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 616 0

英偉達(dá)R系列AI芯片預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)，內(nèi)含8顆HBM4存儲(chǔ)芯片，關(guān)注耗能問(wèn)題

據(jù)悉，R100將運(yùn)用臺(tái)積電的N3制程技術(shù)及CoWoS-L封裝技術(shù)，與之前推出的B100保持一致。同時(shí)，R100有望搭載8顆HBM4存儲(chǔ)芯片，以滿(mǎn)足高性能...

2024-05-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電封裝技術(shù)存儲(chǔ)芯片 719 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 546 0

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

2024-04-23 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 848 0

SK海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。根據(jù)...

2024-04-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電 SK海力士 CoWoS 110 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢(xún)委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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