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標(biāo)簽 > hbm4
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美光發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展
近日,據(jù)報(bào)道,全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項(xiàng)目的最新研發(fā)進(jìn)...
400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲(chǔ)市場牽引力
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應(yīng)用的帶動(dòng)下,存儲(chǔ)新技術(shù)新產(chǎn)品加速到來。例如數(shù)據(jù)中心市場,不僅是高帶寬HB...
特斯拉欲將HBM4用于自動(dòng)駕駛,內(nèi)存大廠加速HBM4進(jìn)程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日據(jù)韓媒報(bào)道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲...
2024-11-28 標(biāo)簽:自動(dòng)駕駛HBM4 2129 0
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計(jì)劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HB...
HBM4進(jìn)一步打破內(nèi)存墻,Rambus控制器IP先行
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2022年11月發(fā)布的GPT-3使用1750億個(gè)參數(shù),而今年5月發(fā)布的最新版本GPT-4o則使用超過1.5萬億個(gè)參數(shù)。在過...
2024-11-19 標(biāo)簽:HBM4 1182 0
Rambus Inc.,業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,近日宣布了一項(xiàng)重大突破:推出業(yè)界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,...
Rambus宣布推出業(yè)界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作負(fù)載
基于一百多項(xiàng)HBM成功設(shè)計(jì)案例,確保芯片一次流片成功 在低延遲下提供超過HBM3兩倍的吞吐量,滿足生成式AI和高性能計(jì)算(HPC)工作負(fù)載的需求 擴(kuò)展了...
英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器
日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代...
HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新
隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切,這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...
英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日,韓國SK集團(tuán)會(huì)長透露了一項(xiàng)重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一...
2024-11-05 標(biāo)簽:芯片計(jì)算機(jī)英偉達(dá) 400 0
英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競爭加劇
韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個(gè)月推...
人工智能(AI)與機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,驅(qū)動(dòng)著各行各業(yè)的革新。隨著模型復(fù)雜度與數(shù)據(jù)量的激增,實(shí)時(shí)處理海量數(shù)據(jù)的需求對底層硬件基礎(chǔ)設(shè)...
2024-10-11 標(biāo)簽:人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)HBM 598 0
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺(tái)積電
據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電,并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)高帶寬存儲(chǔ)器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...
GPU集成12顆HBM4,臺(tái)積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前消息,臺(tái)積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW(晶圓上系統(tǒng))封裝技術(shù),該技術(shù)是將InFO-SoW(集成扇出晶圓上系統(tǒng))...
三星與臺(tái)積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天,三星電子與臺(tái)積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報(bào)道,雙方正攜手并進(jìn),共同開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)人工智...
三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)
據(jù)最新報(bào)道,三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長的人工智能芯片市場...
三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電...
SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士...
SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,...
2024-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)SK海力士 1062 0
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