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SiC/GaN功率半導體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機構IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此...

2016-03-24 標簽：半導體SiCGaN 1445 0

Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標簽：SiCGaNBulk Si 1547 0

Qorvo將GaN應用于 Ka 波段以改善衛(wèi)星網(wǎng)絡

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 K...

2015-09-17 標簽：GaNQorvo 1071 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標簽：功率器件SiCGaN 5672 1

安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統(tǒng)方案

2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉換專家Transpho...

2014-09-26 標簽：GaN安森美公司Transphorm公司 1226 0

新一代功率半導體大熱，節(jié)能成發(fā)展關鍵

技術信息供應商美國IHSGlobal預測稱，功率半導體市場將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場規(guī)模預計在2017年，將從2012年的114億美元擴大到141億美元。其中...

2014-02-12 標簽：SiCGaN功率半導體 1280 0

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體...

2014-01-22 標簽：英飛凌功率器件GaN 1681 0

新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標簽：SiCGaN功率半導體 861 0

明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢

由愛戴愛集團主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產(chǎn)品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標簽：IGBTSiCGaN 1117 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術與發(fā)展展望

據(jù)權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...

2013-09-18 標簽：電力電子SiCGaN 2721 0

富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

今天，富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

2013-07-23 標簽：功率器件GaN 1174 0

功率半導體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴大，2013年共...

2013-07-09 標簽：SiCGaN功率半導體 3697 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標簽：飛思卡爾GaNLDMOS 1966 0

未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場，將以18%速度增長

在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有...

2013-04-26 標簽：SiCGaN功率半導體 1664 0

日企聚焦GaN功率元件，耐壓600V產(chǎn)品成主流

Si之后的新一代功率半導體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功...

2013-04-19 標簽：GaN功率元件 1944 0

首爾半導體推出利用GaN晶體非極性面的白色LED

　韓國首爾半導體開發(fā)出了在1mm見方藍色LED芯片上組合熒光材料，實現(xiàn)了光通量為500lm左右的白色LED，并在“日本第5屆新一代照明技術展”上展出。該...

2013-01-23 標簽：LED首爾半導體GaN 1097 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導體功率器件，由于其開關高速、高頻工作和高溫工作燈特點，受到了廣大關注。隨著鐵路和工業(yè)設備應用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標簽：功率器件SiCGaN 749 0

GaN襯底 中國LED企業(yè)與國外廠家同時起跑

　目前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍寶石，而就全球範圍來看...

2012-11-28 標簽：LED歐司朗GaN 2242 0

功放如何為智能手機提供最佳效率

隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機輕薄化要求不斷提升，集成度和性能的重要性前所未有。因此，功放必須在這兩方面進一步提高，以幫助移動設...

2012-10-08 標簽：td-lte功放GaN 3311 0

SOITEC與四聯(lián)合作開發(fā)GaN晶片 大大降低LED成本

SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。

2012-07-10 標簽：LEDGaNSOITEC 1006 0