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這篇論文發(fā)現(xiàn)，有時(shí)WGAN可能會(huì)出現(xiàn)不滿意的結(jié)果，如產(chǎn)生不好的例子，不能收斂等。這是由于上面提到的weight clipping的使用。在這個(gè)工作中，研...

2018-11-05 標(biāo)簽：GAN深度學(xué)習(xí) 6079 0

2027年功率半導(dǎo)體市場超越100億美元

新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元，推動(dòng)力來自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。

2018-11-02 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 3719 0

GaN助力運(yùn)營商和基站OEM實(shí)現(xiàn)5G sub-6GHz和mmWave大規(guī)模MIMO

到2021年，估計(jì)全球會(huì)有更多的人擁有移動(dòng)電話(55億)，將超過用上自來水的人數(shù)(53億)。與此同時(shí)，帶寬緊張的視頻應(yīng)用將進(jìn)一步增加對移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的需求，其...

2018-10-29 標(biāo)簽：GaN5G 5345 0

GaN器件提高電動(dòng)汽車的功率輸出和能效的方法淺析

隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳能源和節(jié)能運(yùn)輸轉(zhuǎn)移，節(jié)能汽車產(chǎn)業(yè)面臨著挑戰(zhàn)。如今，整個(gè)電動(dòng)汽車（EV）市場的增長率已經(jīng)超過傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車市場增長率的10...

2018-10-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車GaN 5157 0

GAN之父Goodfellow回顧自己當(dāng)年的科研經(jīng)歷

近日，NeuroAscent聯(lián)合創(chuàng)始人、數(shù)據(jù)科學(xué)家Sanyam Bhutani對Ian Goodfellow博士進(jìn)行了一次采訪。在他們的對話中，Good...

2018-10-13 標(biāo)簽：GAN機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 7733 0

本屆ICLR論文投稿中最熱門的關(guān)鍵詞當(dāng)屬強(qiáng)化學(xué)習(xí)

據(jù)雷鋒網(wǎng)的介紹，與諸多學(xué)術(shù)會(huì)議通行的單盲、雙盲評審制度不同，所有提交的論文都將會(huì)公開作者姓名等信息，并且接受所有同行的評價(jià)及提問（open peer r...

2018-10-08 標(biāo)簽：GAN強(qiáng)化學(xué)習(xí) 2324 0

ST和Leti合作研制GaN功率開關(guān)器件制造技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。

2018-09-30 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN 4127 0

應(yīng)用于工程系統(tǒng)控制的GaN磁性高電子遷移率晶體管

英國斯旺西大學(xué)和塞爾維亞尼斯大學(xué)的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵（GaN）磁性高電子遷移率晶體管（MagHEMT）。

2018-09-23 標(biāo)簽：傳感器晶體管gan 3789 0

研究如何利用氮化鎵加強(qiáng)空間探索？

美國航空航天局（NASA）戈達(dá)德太空飛行中心的兩個(gè)科學(xué)家和工程師團(tuán)隊(duì)正在研究如何利用氮化鎵（GaN）加強(qiáng)空間探索。（1）工程師Jean-Marie La...

2018-08-30 標(biāo)簽：探測器晶體管輻射 3250 0

硅襯底GaN基LED技術(shù),Micro LED將是晶能光電的重大應(yīng)用

因具有超高解析度，高色彩飽和度，納秒級響應(yīng)時(shí)間以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，Micro LED成為Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Os...

2018-08-27 標(biāo)簽：ledganmicroled 7332 0

淺析生成式對抗網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的內(nèi)在邏輯

生成式對抗網(wǎng)絡(luò)（Generative adversarial networks, GAN）是當(dāng)前人工智能學(xué)界最為重要的研究熱點(diǎn)之一。其突出的生成能力不僅...

2018-08-22 標(biāo)簽：人工智能GAN 1.0萬 0

諾格向美國海軍陸戰(zhàn)隊(duì)交付首個(gè)GaN G/ATOR系統(tǒng)

諾格公司表示，已向美國海軍陸戰(zhàn)隊(duì)（USMC）交付了首架AN/TPS-80地面/空中任務(wù)導(dǎo)向雷達(dá)（G/ATOR），其中采用了先進(jìn)的高功率和高效氮化鎵（Ga...

2018-08-21 標(biāo)簽：雷達(dá)GaN 3352 0

第三代半導(dǎo)體材料市場和產(chǎn)業(yè)剛啟動(dòng) 機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引發(fā)全球矚目...

2018-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 6339 0

氮化鎵(GaN)已開始加速導(dǎo)入至各應(yīng)用市場當(dāng)中

以無線充電而言，電源轉(zhuǎn)換(Power Conversion)于無線電源傳輸?shù)脑O(shè)計(jì)會(huì)影響系統(tǒng)的總效率。 像是AC-DC、DC/Switching RF A...

2018-07-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車GaN無線充電 4731 0

GaN黑科技 寬禁帶技術(shù)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更...

2018-07-21 標(biāo)簽：二極管數(shù)據(jù)中心GaN 6052 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 5384 0