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納微半導(dǎo)體推出了兩款基于GaN新材料的USB PD充電器

據(jù)納微工程師介紹，這款 65W USB PD 充電器目前正在做相關(guān)認(rèn)證測(cè)試和最終調(diào)試。此外，這款充電器除了內(nèi)置 GaN 功率器件之外，還應(yīng)用了平板變壓器...

2019-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器GaN 4815 0

針對(duì)計(jì)算機(jī)生成的假臉假視頻DeepFake較為全面測(cè)評(píng)的論文

他們經(jīng)過一系列實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前已有的先進(jìn)人臉識(shí)別模型和檢測(cè)方法，在面對(duì) DeepFake 時(shí)基本可以說是束手無策——性能最優(yōu)的圖像分類模型 VGG 和基于...

2019-01-02 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)庫GAN人臉識(shí)別 7210 0

GaN|Yole預(yù)測(cè)：2023年GaN功率業(yè)務(wù)可能達(dá)到約4.23億美元

Yole技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor博士評(píng)論道：“在各種應(yīng)用市場(chǎng)中，市場(chǎng)增長(zhǎng)的積累，特別是在這種情況下最重要的電源市場(chǎng)，確認(rèn)了我們的第一個(gè)場(chǎng)...

2018-12-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)充電器GaN 9271 0

國(guó)產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展 2018年12月底試產(chǎn)2019年正式量產(chǎn)

近日，在深圳會(huì)展中心舉辦的深圳國(guó)際電子展上，英諾賽科（珠海）科技有限公司市場(chǎng)銷售副總裁參加“2018（冬季）中國(guó)USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8...

2018-12-26 標(biāo)簽：充電器GaN 3746 0

北京耐威宣布成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓

近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸...

2018-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓GaN 6924 0

2019影響全球不斷升級(jí)的數(shù)據(jù)和電力需求的大趨勢(shì)

在過去的幾十年里，電力這個(gè)話題一直被視為主要集中于提高設(shè)備的運(yùn)行效率和降低成本的一個(gè)挑戰(zhàn)。今天，隨著能源效率在日益依賴電力的行業(yè)中逐漸成為一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，...

2018-12-18 標(biāo)簽：GaN功率半導(dǎo)體 1467 0

意法半導(dǎo)體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展

今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。

2018-12-18 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN 5205 0

2018年下半年機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域被密切關(guān)注的成果

希望研究者在發(fā)表論文的同時(shí)可以開源自己的代碼實(shí)現(xiàn)。在過去 5 年的時(shí)間里，我們處理了60000 多篇機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的論文，在這些論文中，只有 12％ 的論...

2018-12-18 標(biāo)簽：GAN機(jī)器學(xué)習(xí)NLP 3590 0

英偉達(dá)推出基于風(fēng)格的生成器新結(jié)構(gòu),GAN 2.0橫空出世

在上面的動(dòng)圖中，其實(shí)面部已經(jīng)完全變了，但“源”和“樣式”的明顯標(biāo)記顯然都得到了保留，例如最底下一排圖片的藍(lán)色襯衫。為什么會(huì)這樣？請(qǐng)注意，所有這些都是完全...

2018-12-16 標(biāo)簽：GAN英偉達(dá) 2858 0

一套基于GAN的驗(yàn)證碼AI識(shí)別系統(tǒng)，能在0.5秒之內(nèi)識(shí)別出驗(yàn)證碼

近日，英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)、中國(guó)西北大學(xué)、北京大學(xué)的計(jì)算機(jī)科學(xué)家們共同開發(fā)了一種AI系統(tǒng)，能夠在短短0.5秒內(nèi)識(shí)別出多種驗(yàn)證碼。該系統(tǒng)已在不同的33個(gè)驗(yàn)證碼...

2018-12-16 標(biāo)簽：GAN識(shí)別系統(tǒng)圖像分類 5072 0

國(guó)產(chǎn)5G通信基站GaN功率放大器芯片通過認(rèn)證

在10日揭幕的2018中國(guó)國(guó)際應(yīng)用科技交易博覽會(huì)上，國(guó)產(chǎn)5G通信基站GaN（氮化鎵）功率放大器芯片，在中國(guó)發(fā)明成果轉(zhuǎn)化研究院展區(qū)對(duì)外亮相。

2018-12-14 標(biāo)簽：放大器GaN5G 9415 0

我國(guó)2019年正式推出5G GaN功率放大器芯片

2018年被稱為“5G元年”。隨著5G角逐不斷升級(jí)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都在加速前進(jìn)。

2018-12-14 標(biāo)簽：芯片GaN5G 7410 0

探析GaN在電源中的應(yīng)用及未來發(fā)展

GaN可以在電源應(yīng)用中提供更高的頻率與效率，并可在僅有硅材料一半空間與功耗的條件下輸出同等的功率。

2018-12-12 標(biāo)簽：機(jī)器人GaN 3730 0

美國(guó)SSDI推出GaN FET 用于航空航天及電力電子系統(tǒng)

美國(guó)固態(tài)設(shè)備公司（SSDI）推出用于航空航天和國(guó)防用高壓氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）SGF46E70系列，可用于高效DC-DC、PoL轉(zhuǎn)換...

2018-12-07 標(biāo)簽：機(jī)器人GaN 4225 0

GaN功率器件市場(chǎng)趨熱 英飛凌新方案細(xì)節(jié)曝光

CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型H...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌功率器件GaN 4849 0

能創(chuàng)造出有逼真紋理和形狀的一個(gè)生成式AI系統(tǒng)

為了評(píng)估圖像生成模型，團(tuán)隊(duì)計(jì)算了用于生成三維模型的 Fréchet Inception Distance（弗雷歇初始距離，F(xiàn)ID）——一種與人類感知相關(guān)...

2018-12-06 標(biāo)簽：人工智能GAN計(jì)算機(jī)科學(xué) 4249 0

一款神器——GANpaint，竟然簡(jiǎn)單幾筆就能成畫

該模型可以將輸入圖像分割為336個(gè)物體類，29個(gè)大物體和25個(gè)材質(zhì)類。為了進(jìn)一步識(shí)別專門用于對(duì)象部件的單元，我們將每個(gè)對(duì)象類c擴(kuò)展為另外的對(duì)象部件類ct...

2018-12-03 標(biāo)簽：GAN生成器可視化 8255 0

功率半導(dǎo)體之戰(zhàn) Ga2O3挑戰(zhàn)GaN和SiC

半導(dǎo)體世界可能會(huì)有一個(gè)新的參與者，它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。

2018-11-27 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 6904 0