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      gan資訊

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

      第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、...

      2020-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.0萬(wàn) 0

      華為自研的GaN快充充電器主控芯片

      4月8日晚，華為2020春季新品發(fā)布會(huì)正式發(fā)布65W GaN雙口超級(jí)快充充電器，支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機(jī)、平臺(tái)和PC充電。

      2020-04-10 標(biāo)簽：華為GaN 7274 0

      Transphorm和微芯達(dá)成合作 GaN和數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)相結(jié)合以推動(dòng)GaN普及

      采用dsPIC? DSC快速跟蹤電源系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的4 kW PFC GaN評(píng)估板，并提供全球技術(shù)支持。

      2020-04-08 標(biāo)簽：數(shù)字信號(hào)處理GaN直流電源 920 0

      湘能華磊光電的LED外延層生長(zhǎng)方法專(zhuān)利揭秘

      湘能華磊光電的LED外延層生長(zhǎng)方法專(zhuān)利揭秘

      該項(xiàng)專(zhuān)利通過(guò)Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結(jié)構(gòu)組成電容式結(jié)構(gòu)，對(duì)高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用，減少了高壓靜電的破壞力，從而提高GaN基LED器件...

      2020-03-25 標(biāo)簽：ledGaN 3757 0

      用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN

      我們?cè)趯ふ乙环N功率晶體管，幫助我們?yōu)榭蛻糸_(kāi)發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們?cè)紤]碳化硅器件，但在低電壓條件下無(wú)法達(dá)到預(yù)期優(yōu)勢(shì)。

      2020-03-18 標(biāo)簽：功率模塊GaN功率晶體管 1593 0

      gan基電力電子器件

      gan基電力電子器件

      該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況，進(jìn)而確保此功率器件在進(jìn)行快速充電時(shí)能夠很好的運(yùn)行使用。

      2020-03-16 標(biāo)簽：三極管GaN 3915 0

      倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示

      19年12月份，購(gòu)買(mǎi)了一款 明星產(chǎn)品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元； 購(gòu)買(mǎi)的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...

      2020-03-16 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 5954 0

      在所有電力電子應(yīng)用中 功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一

      在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵...

      2020-03-14 標(biāo)簽：GaN 4424 0

      化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

      在新型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調(diào)降對(duì)2020年市場(chǎng)成長(zhǎng)性的預(yù)估，不過(guò)為把握5G、AI、車(chē)用與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新興需求，晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必...

      2020-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓GaN 3095 0

      能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專(zhuān)利揭秘

      能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專(zhuān)利揭秘

      該項(xiàng)專(zhuān)利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道，覆蓋更寬的發(fā)射頻帶，更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場(chǎng)景。此外，由于輸入了動(dòng)態(tài)電壓，能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...

      2020-03-11 標(biāo)簽：基站GaN5G 2492 0

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      我們繼續(xù)介紹與之對(duì)應(yīng)的壓電極化效應(yīng)。壓電極化效應(yīng)是由兩種材料之間的晶格失配引起的。 當(dāng)在一種材料襯底上外延生長(zhǎng)另外一種晶格常數(shù)不匹配的材料時(shí)，如果兩種材...

      2020-03-10 標(biāo)簽：電極GaN晶格 1.2萬(wàn) 1

      倍思發(fā)布了一款支持65W快充的 GaN迷你快充旅行充電器

      接口方面，倍思 GaN迷你快充旅行充電器共有兩個(gè)USB-C接口與一個(gè)USB-A接口。在單USB-C1輸出的情況下，它的最大功率可以達(dá)到65W。同等條件下...

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      GaN是臺(tái)積電的下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng) 在車(chē)電商機(jī)未來(lái)可期

      3 月 6 日訊，因應(yīng) 5G、電動(dòng)車(chē)時(shí)代來(lái)臨，對(duì)于高頻、高壓功率元件需求大增，帶動(dòng)氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬能隙半導(dǎo)體材料興起，全球晶圓代工...

      2020-03-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電GaN 2136 0

      Qorvo?推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶GaN 功率放大器

      移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日推出全球性能最高的寬帶功率放大...

      2020-03-03 標(biāo)簽：功率放大器GaNQorvo 1194 0

      英特爾和Macom是射頻GaN-on-Si專(zhuān)利大戶

      根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專(zhuān)利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

      2020-03-01 標(biāo)簽：英特爾射頻gan 2948 0

      小米GaN充電器65W高清圖集

      2月13日，在小米10發(fā)布的同時(shí)，小米還帶了了一款小米GaN充電器65W，體積小巧，手機(jī)、筆記本都能充，售價(jià)149元。

      2020-02-27 標(biāo)簽：充電器GaN小米 3322 0

      Nexperia與Ricardo合作開(kāi)發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)

      的汽車(chē)咨詢(xún)公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件

      2020-02-25 標(biāo)簽：逆變器GaNNexperia 1068 0

      意法半導(dǎo)體與臺(tái)積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場(chǎng)采用率

      氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢(shì)十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。

      2020-02-24 標(biāo)簽：臺(tái)積電意法半導(dǎo)體氮化鎵 1448 0

      氮化鎵市場(chǎng)火爆，誰(shuí)能搭上這列快車(chē)

      作為第三代半導(dǎo)體材料新星之一的氮化鎵（GaN），正在迅速燃爆市場(chǎng)。

      2020-02-23 標(biāo)簽：充電器gan 3356 0

      iPhone 12或使用Type-C口，蘋(píng)欲推出GaN充電器？

      近日，有外媒報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果或許會(huì)在今年推出的iPhone 12上使用Type-C接口，以支持更高速率的快速充電。另外，蘋(píng)果還會(huì)推出一款GaN（氮化鎵）充電...

      2020-02-21 標(biāo)簽：iPhone蘋(píng)果gan 3823 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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        樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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        LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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