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新技術(shù) 氮化鎵(GaN)將接替硅

對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此...

2020-07-04 標(biāo)簽：pcbGaN 2124 0

助攻電源創(chuàng)新設(shè)計(jì)，泰克第二個(gè)電源主題實(shí)驗(yàn)室上線

泰克科技密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展，為工程師們提供卓越的測試解決方案。

2020-06-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 761 0

GAN主要優(yōu)點(diǎn)是超越了傳統(tǒng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分類和特征提取的功能

L.E.Boltzmann提出的玻爾茲曼分布類似，故將這種網(wǎng)絡(luò)取名為“玻爾茲曼機(jī)”。 在物理學(xué)上，玻爾茲曼分布是描述理想氣體在受保守外力的作用時(shí)，處于熱...

2020-06-20 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)GaN 1.3萬 0

賽微電子公司成功開發(fā)出650 V系列GaN功率器件產(chǎn)品

近日，河南省鄭州市副市長萬正峰、副秘書長、市商務(wù)局局長李兵、市商務(wù)局副局長吳安德等一行赴賽微電子考察，全面了解公司業(yè)務(wù)等各項(xiàng)情況，并就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的發(fā)展前...

2020-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體memsGaN 3512 0

第三代半導(dǎo)體材料的代表之一是什么？

答：作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，GaN本身在性能特性上是一種部分替代性及革命性的材料和器件，該業(yè)務(wù)最早發(fā)端于航空電子業(yè)務(wù)的需求但目前已遠(yuǎn)不止于該領(lǐng)域...

2020-06-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料GaN5G通訊 2678 0

三款集成PowiGaN技術(shù)的新器件

該芯片組采用獨(dú)特的單級功率架構(gòu)，可降低損耗并將整體效率提高到91％。這使制造商可以在歐盟能效標(biāo)識方案中獲得更高的評分。由于具有750 V的擊穿電壓

2020-06-18 標(biāo)簽：開關(guān)電源GaN 1931 0

梯度的獨(dú)特分布給量化訓(xùn)練帶來了極大挑戰(zhàn)

本文關(guān)注基于點(diǎn)云數(shù)據(jù)的三維物體檢測任務(wù)。文章提出了一個(gè)高性能的3D物體檢測框架PV-RCNN，其通過構(gòu)造Set Abstraction特征抽象操作將基于...

2020-06-15 標(biāo)簽：3DGaN商湯科技 2539 0

國內(nèi)三代半導(dǎo)體氮化鎵團(tuán)隊(duì)獲得“全國創(chuàng)新爭先獎牌”

美國伯克F3驅(qū)逐艦，它的雷達(dá)同樣用了GAN技術(shù)GAN器件帶寬更大，增益也更高，對于雷達(dá)來說，更大帶寬意味著更好的分辨率，能夠探測更小的目標(biāo)，國內(nèi)外雷達(dá)工...

2020-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN手機(jī)充電 3566 0

2020年5G技術(shù)創(chuàng)新研討會：從GaN工藝到測試技術(shù)，推動5G迅速商業(yè)化

日前，由全球電子科技領(lǐng)域知名媒體電子發(fā)燒友網(wǎng)主辦的《2020年5G技術(shù)創(chuàng)新研討會》成功舉辦。本次5G技術(shù)創(chuàng)新研討會上，電子發(fā)燒友邀請到了英飛凌、上海移遠(yuǎn)...

2020-06-04 標(biāo)簽：GaN毫米波5G 7121 0

電信和國防依然是推動GaN RF市場增長的動力源泉

對于智能手機(jī)而言，GaN的高性能和小尺寸等優(yōu)點(diǎn)吸引著OEM廠商。GaN功率放大器（PA）是否被采用，將取決于未來五年GaN技術(shù)成熟度、供應(yīng)鏈、成本以及O...

2020-06-02 標(biāo)簽：功率放大器RFGaN 2585 0

動漫生成器讓照片秒變手繪日漫風(fēng)?。?！

如果有模型能將真實(shí)畫面轉(zhuǎn)化為日漫風(fēng)格的手繪畫面，那一定非常炫酷。最近機(jī)器之心發(fā)現(xiàn)確實(shí)有這些模型，從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成...

2020-05-12 標(biāo)簽：GaN生成器計(jì)算機(jī)圖形學(xué) 4.6萬 0

5G射頻前端芯片公司“至晟微電子”完成近億元A輪融資

南通至晟微電子有限公司今天宣布完成新一輪近億元A輪融資，本輪融資由耀途資本與容億投資聯(lián)合領(lǐng)投，拓金資本、盛宇資本及產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)跟投，同時(shí)公司將于近期完成由頂...

2020-05-06 標(biāo)簽：GaN射頻前端5G 949 0

一種基于GaN的超高效功率模塊

前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成...

2020-04-27 標(biāo)簽：功率模塊GaN 4140 0

Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間

事實(shí)上，現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測，GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2...

2020-04-27 標(biāo)簽：GaNTransphorm 2734 0

隨著GaN技術(shù)的成熟，GaN市場發(fā)展將迎來黃金期

在4月8日晚間的華為春季新品發(fā)布會上，期待已久的華為P40系列國行版終于發(fā)布，與此同時(shí)，華為還帶來了一款充電器新品，功率65W。這款充電器屬于 GaN（...

2020-07-16 標(biāo)簽：GaNGaN功率器件 1228 0

TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將...

2020-04-13 標(biāo)簽：電池充電器ti電源轉(zhuǎn)換 1612 0

耐威科技1億元設(shè)立全資子公司 將投資建設(shè)自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線

4月11日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）公布公告稱，為了進(jìn)一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，逐步形成自主可控的生產(chǎn)...

2020-04-13 標(biāo)簽：GaN耐威科技 4338 0