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      文章：1685個(gè) 瀏覽：73684次 帖子：159個(gè)

      gan資訊

      SiC的總市場容量到2022年將超過10億美元

      隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電動...

      2020-09-10 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體GaN 2421 0

      第三代化合物半導(dǎo)體發(fā)展如火如荼，中國企業(yè)率先入局

      化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重...

      2020-09-02 標(biāo)簽：士蘭微GaN 6336 0

      硅功率器件要想獲得市場規(guī)模應(yīng)該怎么做

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      硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段，不可避免的結(jié)論是來自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱。現(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

      2020-09-01 標(biāo)簽：功率器件GaN 1874 0

      賽微電子的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)快速發(fā)展且整體盈利良好

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      2020年上半年，賽微電子基本每股收益0.0182元，較上年同期下降79.53%；加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.41%，較上年同期下降0.75%（絕對數(shù)值變動...

      2020-08-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體memsGaN 1976 0

      半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

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      作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以...

      2020-08-27 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.1萬 0

      盤點(diǎn)17款氮化鎵充電器，將取代傳統(tǒng)硅功率器件

      “GaN”中文名“氮化鎵”，是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、...

      2020-08-26 標(biāo)簽：充電器GaN 8096 0

      直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

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      通常來講，MOSFET/IGBT驅(qū)動提供合適的導(dǎo)通和關(guān)斷電流，以支持輸入電容。驅(qū)動輸出和設(shè)備柵極之間的外部電阻控制壓擺率，并抑制功率和柵極環(huán)路振鈴。

      2020-08-24 標(biāo)簽：晶體管GaN集成器件 3215 0

      GaN Systems的GS-EVB-AUD-xx1-GS音頻評估板

      GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板（GS-EVB-AUD-AMP1-GS）單獨(dú)銷售，也可以與開關(guān)電源（SM...

      2020-08-24 標(biāo)簽：音頻D類放大器GaN 3009 0

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      根據(jù)中信證券的市場分析，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合增長率高達(dá)94%。

      2020-08-24 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料GaN 7208 0

      微波功率模塊的發(fā)展情況作一介紹與分析

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      真空電子器件的發(fā)展可追溯到二戰(zhàn)期間。1963年，TWTA技術(shù)在設(shè)計(jì)變革方面取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，提高了射頻輸出的功率和效率，封裝也更加緊湊。1973年，歐洲...

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      Nubia推出的另一種產(chǎn)品是具有三個(gè)充電端口的120W GaN充電器

      此外，快速充電器具有120W的功率支持，這是由亞硝酸鎵供電的充電器史上的一個(gè)里程碑。在此之前，大多數(shù)GaN充電器的額定功率均為65W或90W，但是Nub...

      2020-07-29 標(biāo)簽：充電器GaNnubia 2710 0

      UCSB團(tuán)隊(duì)利用外延隧道結(jié)制備高性能InGaN Micro LED

      Micro LED的發(fā)光效率會隨著尺寸微縮而下降，從而導(dǎo)致檢測與維修問題增多，這是Micro LED面臨的關(guān)鍵技術(shù)難題之一。鑒于此，相關(guān)技術(shù)研究員嘗試在...

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      AMCOM是美國半導(dǎo)體公司中最具有全世界技術(shù)領(lǐng)先的微波設(shè)計(jì)公司，AMCOM的GaN寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好...

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      加拿大開發(fā)一種將Micro LED轉(zhuǎn)移并粘合到柔性基板上的新方法

      加拿大滑鐵盧大學(xué)的研究人員報(bào)告說，他們創(chuàng)造了一種將Micro LED轉(zhuǎn)移并粘合到柔性基板上的新方法。

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      據(jù)報(bào)道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基I...

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      與1月份的最后一次重大公告一樣，該公司還展示了一種用于深度學(xué)習(xí)的新方法的技術(shù)，在這種情況下，該公司提供了一種用于消除AI模型偏差的新技術(shù)。該軟件可以執(zhí)行...

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      GaAs和GaN混合集成微波功率放大器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

      隨著目前美國對我國各個(gè)行業(yè)的限制，特別是在包括Sub-1G的自組網(wǎng)等射頻通信領(lǐng)域的限制更加嚴(yán)格，我們需要發(fā)展自己的好性能芯片，尤其是通信裝備就更加敏感了...

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      基于GameGAN的動態(tài)環(huán)境模擬

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      半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在...

      2020-07-04 標(biāo)簽：GaN 1914 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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        樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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