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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達 2k...
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...
2025-07-11 標(biāo)簽:半橋場效應(yīng)晶體管GaN 125 0
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護功能,...
方案介紹 | 東科24W集成GAN器件高PF低THD的恒壓LED方案分享
本文將為大家介紹以DK8924AN為核心的一款24WLED方案,具有恒壓精度高,待機功耗低,啟動迅速等特點,適用于LED燈帶電源,智能照明等多種應(yīng)用場...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動器級、驅(qū)動器邏輯控制和保護功能。該驅(qū)動器可配...
納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅(q...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達100V。高性能...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設(shè)計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率(P ~OUT~ ),功率附加效率(PAE)為40%,輸入...
E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
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