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標簽 > GaN
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Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),...
現(xiàn)代世界里,沒有人可以說自己跟半導體沒有關(guān)系。半導體聽起來既生硬又冷冰冰,但它不僅是科學園區(qū)里那幫工程師的事,你每天滑的手機、用的電腦、看的電...
氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)...
用GAN生成音樂成功了!GANSynth是一種快速生成高保真音頻的新方法
GANSynth 生成音樂有多強呢?Jesse Engel 用一句話解釋:“我們證明了,我們可以比標準的 WaveNet 快 5 萬倍地生成樂器音頻,并...
基于GaN的開關(guān)器件驅(qū)動是關(guān)鍵要素
輸入電壓兼容TTL電平,并且最大輸入電壓可以高達14V,而不考慮VDD軌電壓。同時,在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中,低傳播延遲和軌到軌的時鐘傾斜對效率...
如何解決數(shù)據(jù)稀疏而對深度學習的影響問題?詳細方法概述
深度學習,有太多令人驚嘆的能力!從12年的圖像識別開始,深度學習的一個個突破,讓人們一次又一次的刷新對它的認知。然而,應(yīng)用深度學習,一直有一個巨大的前提...
氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點、不同制造工藝及最新進展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術(shù)驅(qū)....
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術(shù)驅(qū)....
AlGaN和GaN界面陷阱對AlGaN與GaN及HEMT負閾值電壓漂移的影響說明立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2019-10-09 標簽:仿真晶體管GaN 3589 0
如果有模型能將真實畫面轉(zhuǎn)化為日漫風格的手繪畫面,那一定非常炫酷。最近機器之心發(fā)現(xiàn)確實有這些模型,從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成....
不管是外出游玩還是出差商旅,大多數(shù)人的背包里肯定少不了手機、電腦、充電器。為了減輕人們的出行負擔,筆記本電腦的設(shè)計也逐漸輕薄便攜,不過,不管電腦怎么革新...
CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導體成關(guān)鍵
又到歲末年初時,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到了數(shù)十位國內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高...
GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表...
雖然近期對GAN存在著大量炒作,但它顯然是近年來從AI領(lǐng)域出現(xiàn)的最有趣的新概念之一,我們可以期待在不久的將來看到更多基于GAN的令人興奮的新應(yīng)用...
前言:【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個環(huán)節(ji...
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機實現(xiàn)難點是什么?
U.S. DRIVE給電機和電控的發(fā)展定了一個目標,那就是到2025年時,電機控制器的效率不能低于98%;功率密度要達到100kW/L;成本要降到2.7...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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