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氮化鎵(GaN)是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),意味著GaN器件的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度大于硅。GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升頻率,降低驅(qū)動(dòng)損耗??斐淠茉?~5h內(nèi)使蓄電池達(dá)到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。
  

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