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      gan器件

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      gan器件資訊

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      2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN通用汽車 372 0

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      DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管，邏輯控制電...

      2022-06-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaNGaN器件 3370 0

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      2022-07-27 標(biāo)簽：電容電力電子功率器件 4990 0

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      氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...

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      蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通

      蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作，在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...

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      西電郝躍院士團(tuán)隊實現(xiàn)硅與GaN器件的晶圓級單片異質(zhì)集成

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      2020-09-02 標(biāo)簽：晶圓級半導(dǎo)體器件GaN器件 2799 0

      意法半導(dǎo)體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

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      2020-03-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1123 0

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      2018-08-25 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心gan器件 1969 0

      SiC器件：以汽車用途為突破口擴大利用

      功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）三種半導(dǎo)體材料并用的時代。過去，人們一直利用硅的加工性能良好的特點，借助精雕 細(xì)琢的...

      2015-09-11 標(biāo)簽：SiC器件GaN器件 1140 0

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