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GaN可靠性測(cè)試新突破：廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標(biāo)簽：SiCGaN可靠性測(cè)試 354 0

淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程

電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1075 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題

熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域；

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路PCB板QFN封裝 1312 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 498 0

半導(dǎo)體，微電子，集成電路都是什么關(guān)系？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)（屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)），利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片CMOS反相器 6739 0

從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型

模塊電源（BMP）因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級(jí)容易等特點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、繼電保護(hù)、配網(wǎng)自動(dòng)化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領(lǐng)域。

2023-06-19 標(biāo)簽：電磁兼容BMPPCB工藝 1542 0

GaN在射頻（RF）前端中的應(yīng)用分析

對(duì)于工程師來說，設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計(jì)工程師還可以利用測(cè)得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)...

2022-06-07 標(biāo)簽：GaNGaN器件 5457 0

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當(dāng)然是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，但有時(shí)“高”的說法并不準(zhǔn)確，例如：家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

2022-03-31 標(biāo)簽：碳化硅GaN器件SiCMOSFET 1888 0

深度探討GaN器件驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案

在柵極關(guān)斷時(shí)，CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值，從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。

2021-01-20 標(biāo)簽：晶體管GaN器件硅晶體管 5528 0

德州儀器：GaN器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。

2020-08-04 標(biāo)簽：開關(guān)電源功率因數(shù)控制器GaN器件 1724 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集...

2019-11-18 標(biāo)簽：通信接口驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)GaN器件 6183 0