GaN器件

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gan器件技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)（屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)），利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片 CMOS反相器 6739 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集...

2019-11-18 標(biāo)簽：通信接口驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)GaN器件 6183 0

深度探討GaN器件驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案

在柵極關(guān)斷時(shí)，CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS，以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值，從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。

2021-01-20 標(biāo)簽：晶體管 GaN器件硅晶體管 5528 0

GaN在射頻（RF）前端中的應(yīng)用分析

對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ；第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計(jì)工程師還可以利用測(cè)得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)...

2022-06-07 標(biāo)簽：GaN GaN器件 5457 0

AIGC可編輯的圖像生成方案

ControlNet給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)在是過(guò)于驚艷了，近期視覺(jué)領(lǐng)域最讓人興奮的工作。

2023-03-03 標(biāo)簽：Clip GaN器件 OpenAI 4025 0

硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換

隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。

2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 3285 0

為什么GaN FET是LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的最佳選擇

氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET...

2021-03-31 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)混合動(dòng)力車 LLC轉(zhuǎn)換器 3174 0

全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析

SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)：首先，“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 碳化硅 2853 0

探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)和應(yīng)用

不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動(dòng)要求，這可能是使用 GaN 組件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

2022-11-10 標(biāo)簽：CGD dcdc轉(zhuǎn)換器 GaN器件 2784 0

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當(dāng)然是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，但有時(shí)“高”的說(shuō)法并不準(zhǔn)確，例如：家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量，可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，或許能從能源使用...

2022-03-31 標(biāo)簽：碳化硅 GaN器件 SiCMOSFET 1888 0

gan器件帖子

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GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)_馬煥立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽：LLC 諧振變換器 GaN器件 1233 0

gan器件資訊

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心SiC和GaN器件產(chǎn)線全面貫通

蕪湖第三代半導(dǎo)體工程中心自2017年6月啟動(dòng)建設(shè)。啟迪新材料集團(tuán)和蕪湖市建設(shè)投資有限公司通力合作，在蕪湖市委、市政府和高新區(qū)管委會(huì)以及發(fā)改委、科技局、經(jīng)...

2020-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN器件 5124 0

垂直GaN 器件：電力電子的下一個(gè)層次

NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN...

2022-07-27 標(biāo)簽：電容電力電子功率器件 4990 0

新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管，邏輯控制電...

2022-06-21 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN GaN器件 3370 0

全球SiC和GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到56.436億美元

第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱...

2021-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN器件 2875 0

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)硅與GaN器件的晶圓級(jí)單片異質(zhì)集成

氮化鎵高功率器件在電力電子領(lǐng)域中受到越來(lái)越多的關(guān)注，在汽車電子、機(jī)電控制、光伏產(chǎn)業(yè)和各類電源系統(tǒng)中得到越來(lái)越多的應(yīng)用。電力電子器件更加需要常關(guān)態(tài)增強(qiáng)型氮...

2020-09-02 標(biāo)簽：晶圓級(jí)半導(dǎo)體器件 GaN器件 2799 0

淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系

GaN器件用于從交流到直流的功率轉(zhuǎn)換，然后用于轉(zhuǎn)換負(fù)載的直流電壓，可以將Si器件的整體效率從77%提高到接近84%，如圖3所示。根據(jù)一級(jí)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商G...

2018-08-25 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心 gan器件 1969 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)

氮化鎵（GaN）功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以...

2022-05-05 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 GaN器件 1848 0

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案

GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。

2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源 ON Semiconductor 1646 0

SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化的解決方案，也在持續(xù)挖掘ALD技術(shù)之于傳統(tǒng)硅基，SiC，GaN器件的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。

2021-11-10 標(biāo)簽：MOSFET 充電器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 1344 0

SiC器件：以汽車用途為突破口擴(kuò)大利用

功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）三種半導(dǎo)體材料并用的時(shí)代。過(guò)去，人們一直利用硅的加工性能良好的特點(diǎn)，借助精雕細(xì)琢的...

2015-09-11 標(biāo)簽：SiC器件 GaN器件 1140 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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UCD3138

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”

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