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HMC742ALP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位數(shù)字可變增益放大器，采用SMT封裝技術手冊

HMC742A是一款數(shù)字控制可變增益放大器，工作頻率范圍為70 MHz至4 GHz，可通過編程提供-19.5 dB衰減至12 dB增益，步進為0.5 d...

2025-04-19 標簽：放大器增益放大器 GaAs 286 0

聚燦光電宣布擴建Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造項目

3月6日，聚燦光電發(fā)布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴建項目”的部分募集資金（共計8億元）用途，用于新項目“年產(chǎn)240萬片...

2024-03-08 標簽：LED芯片 GaAs Micro LED 1506 0

深度解讀鎵、鍺市場

中國一直堅定地追求技術優(yōu)勢，特別是在5G、電動汽車和可再生能源等新興領域。這些變革領域嚴重依賴于化合物半導體，包括GaAs, Ge, GaN, Ga2O...

2023-12-19 標簽：電動汽車 GaAs 5G 1278 0

影響二極管開關速度的主要因素是什么

影響二極管開關速度的主要因素是什么? 二極管開關是電子設備領域中不可或缺的一種元件，它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開關速度影響了整個電路的性能，包...

2023-09-02 標簽：二極管衰減器電源電壓 2382 0

基于InGaAs NFAD的集成型低噪聲近紅外單光子探測器

近年來，基于InGaAs單光子雪崩二極管（SPAD）的近紅外單光子探測技術在遠距離激光雷達等系統(tǒng)中的應用日益廣泛，展現(xiàn)了其低功耗、小體積等優(yōu)勢。

2023-06-21 標簽：雪崩二極管 GaAs TEC 1720 0

GaAs基VCSEL干法刻蝕技術研究

GaAs基VCSEL已廣泛應用于三維成像、無人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領域，同時在光電對抗、激光雷達、航空航天等高精尖領域也發(fā)揮著巨大...

2023-04-21 標簽：SEM GaAs 激光雷達 2629 0

軍備芯片和商用芯片的區(qū)別芯片14nm對比5nm差距在哪里？

其實就目前的情況（截止2022年）而言，現(xiàn)實和他們想的相反，在很多軍工領域，我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進，實際情況大概率是美國戰(zhàn)斗...

2023-03-31 標簽：SiC GaN GaAs 6167 0

淺析Tower硅光子平臺結合光纖與硅芯片連接技術及量子點激光器

Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術與允許同時將大量光纖連接到芯片的功能相結合——顯著簡化了組裝成用于數(shù)據(jù)中心和電信網(wǎng)絡的最終高速數(shù)...

2023-03-27 標簽：收發(fā)器激光器人工智能 1864 0

HMC624A是一款6位數(shù)字衰減器

HMC624A是一款6位數(shù)字衰減器，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)...

2023-01-04 標簽：衰減器 GaAs 1595 0

淺談微波單片集成電路（MMIC）

為了實現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功耗，硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術在21 世紀初得到較為廣泛的研究。

2022-09-29 標簽：集成電路 IC GaAs 1.1萬 0

寬帶GaAs MMIC低相噪聲放大器芯片CMD275介紹

Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs?MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10GHz時，CMD275提供16dB的增益...

2022-09-27 標簽：芯片放大器 GaAs 1378 0

化合物半導體的特點簡介

電子遷移率（electron mobility）高。這個特性帶來的功能上的好處是低噪音，高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導體可以進行高速運算。

2022-09-21 標簽：太陽能電池 GaAs 光電轉(zhuǎn)換 2904 0

晶圓在5G中的作用

晶圓具有強大的性能，使其成為快速發(fā)展的技術領域的理想選擇。這些半導體正在推動移動通信的未來。

2022-07-20 標簽：晶圓 GaAs 5G 1730 0

濕法蝕刻過程中影響光致抗蝕劑對GaAs粘附的因素

本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...

2022-05-10 標簽：工藝蝕刻 GaAs 828 0

HCL/異丙醇濕法處理制備潔凈的InAs表面

對于基礎研究和技術應用，至關重要的是，開發(fā)有效的程序來準備清潔的半導體表面，顯示各種可能的重建，并了解這些程序的化學性質(zhì)。對于砷化鎵001使用砷脫殼或H.....

2022-03-14 標簽：材料光譜 GaAs 741 0

硅上多晶磷化銦的生長和表征

本文介紹了一種以In2O3或In為中間體，在硅片上直接合成多晶InP的方法。用粉末x光衍射分析了中間體和最終多晶磷化銦的晶體質(zhì)量和轉(zhuǎn)化率。根據(jù)中間材料的....

2022-02-21 標簽：太陽能 GaAs 電池 2483 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究報告

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方...

2022-02-17 標簽：傳感器蝕刻 GaAs 2036 0

Custom MMIC移相器產(chǎn)品介紹

隨著越來越多的RF系統(tǒng)轉(zhuǎn)為相控陣構架，Custom MMIC的產(chǎn)品解決方案通過提供高性能、多位移相器成為了關鍵的引領者。Custom MMIC解決方案基...

2021-10-18 標簽：移相器 GaAs RF系統(tǒng) 909 0

給大家分享一些模擬和矢量信號源進階使用技巧

通常射頻信號源的簡單應用通常只是輸入頻率、功率，加上一些模擬、數(shù)字調(diào)制，然而要充分挖掘出信號源的潛力和性能需要更多的技巧。本應用指南會告訴您可...

2021-06-18 標簽：發(fā)射機衰減器 GaAs 7705 0

一文淺析你熟知的兩大半導體材料

來源：羅姆半導體社區(qū) 半導體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...

2022-11-25 標簽：半導體 GaN GaAs 2314 0

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