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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。
2017-02-04 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 1.7萬(wàn) 0
Nandra補(bǔ)充說(shuō),“FinFET固有增益很高,但是跨導(dǎo)(gm)實(shí)際上很低,和頻率(ft)一樣。更先進(jìn)的幾何布局比平面器件更容易實(shí)現(xiàn)匹配,能夠很好的控制...
2019-09-25 標(biāo)簽:SoC系統(tǒng)FinFET 1.3萬(wàn) 0
格芯堅(jiān)持FDX和FinFET雙技術(shù)路線(xiàn)
半導(dǎo)體行業(yè)觀察:全球第二大晶圓代工廠格芯半導(dǎo)體股份有限公司宣布,正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地 關(guān)鍵詞:格芯
什么是FinFET?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝...
2023-07-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FinFET 8684 0
5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái):使用工藝和電路仿真來(lái)預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高...
科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識(shí)
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,le...
提高芯片的良率變得越來(lái)越困難,很多新建的晶圓廠通線(xiàn)數(shù)年仍難以量產(chǎn),有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn),但是良率始終無(wú)法爬坡式的提升,很多朋友會(huì)問(wèn):芯片的良率提升真的有那么難...
22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個(gè)器件到下一個(gè)器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實(shí)現(xiàn)所...
打開(kāi)這一年來(lái)半導(dǎo)體最熱門(mén)的新聞,大概就屬FinFET了,例如:iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管(FinFET)...
淺談FinFET存儲(chǔ)器的缺陷修復(fù)和測(cè)試算法
每個(gè)STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)處理器的能力都足以處理芯片上的檢測(cè)、診斷和缺陷修復(fù)。連接和配置所有紫色方框可能比較耗時(shí)且容易出錯(cuò),所以STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)還實(shí)現(xiàn)了以...
2019-01-03 標(biāo)簽:FinFETFinFET存儲(chǔ)器STAR存儲(chǔ)器 4630 0
模擬電路設(shè)計(jì)面對(duì)的節(jié)點(diǎn)和代工挑戰(zhàn)
模擬設(shè)計(jì)從來(lái)都不容易。工程師們可以把整個(gè)職業(yè)生涯都花在鎖相環(huán)(PLL)上,因?yàn)橐屗鼈冋_,就需要深入了解電路的功能,包括它們?cè)诓煌闹瞥踢吔绾筒煌闹?..
淺談鰭式場(chǎng)效晶體管( finFET)寄生提取的復(fù)雜性和不確定性
鰭式場(chǎng)效晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng) finFET)的推出標(biāo)志著 CMOS 晶體管首次被看作是真正的三維器件。由于源漏區(qū)以及與其周?chē)B接的三維結(jié)構(gòu)方式(包括本地互連和接...
未來(lái)半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具 機(jī)器學(xué)習(xí)為EDA帶來(lái)什么改變
在20/22nm引入FinFET以后,先進(jìn)工藝變得越來(lái)越復(fù)雜。在接下來(lái)的發(fā)展中,實(shí)現(xiàn)“每?jī)赡陮⒕w管數(shù)量增加一倍,性能也提升一倍”變得越來(lái)越困難。摩爾定...
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程(FinFET)
首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層,掩模圖形化鰭軸并刻蝕,形成第一側(cè)墻;
2023-01-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 3753 0
提到FET,學(xué)電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 3709 0
淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度
翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎?其實(shí)這取決于哪一方面。 斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來(lái)自麻省理工學(xué)院、...
2021-01-25 標(biāo)簽:CMOS電路設(shè)計(jì)eda 3460 0
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