finfet

芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 1869 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標(biāo)簽：CMOSDRAMAFM 4341 0

EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量，這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難，空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。

2023-03-24 標(biāo)簽：CMOSMOSFETeda 537 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求，但近年來(lái)，在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。

2023-02-14 標(biāo)簽：soc散熱器RTL 1236 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；

2023-01-31 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 3753 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響，并且它會(huì)隨著 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]...

2023-01-06 標(biāo)簽：晶體管FinFET負(fù)載效應(yīng) 1322 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的，一半來(lái)自技術(shù)方面的進(jìn)步，另一半來(lái)自市場(chǎng)的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET3D晶圓 2778 0

適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析

由于從平面 FET 過(guò)渡到 FinFET，晶體管尺寸減小了，而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的，因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長(zhǎng)度減小時(shí)開(kāi)始下降。FinF...

2022-07-21 標(biāo)簽：晶體管FinFET 1538 0

數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒(méi)落

在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，仿照技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們晦氣的進(jìn)程。但這個(gè)現(xiàn)象或許正在改動(dòng)。

2020-04-06 標(biāo)簽：傳感器數(shù)字電路FinFET 1379 0

對(duì)FinFET技術(shù)的詳細(xì)分析

我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。

2017-12-26 標(biāo)簽：晶體管finfet 2.5萬(wàn) 0

格芯堅(jiān)持FDX和FinFET雙技術(shù)路線

半導(dǎo)體行業(yè)觀察：全球第二大晶圓代工廠格芯半導(dǎo)體股份有限公司宣布，正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地 關(guān)鍵詞：格芯

2017-10-24 標(biāo)簽：FinFET格芯 9695 0