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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。

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finfet技術(shù)

FinFET制造工藝的具體步驟

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本文介紹了FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標(biāo)簽:晶圓晶體管柵極 674 0

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2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 377 0

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2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 666 0

FinFET是什么?22nm以下制程為什么要引入FinFET呢?

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隨著芯片特征尺寸的不斷減小,傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制,難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

2024-03-26 標(biāo)簽:MOSFET摩爾定律晶體管 3991 0

深度解析finFET設(shè)計規(guī)則

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2024-02-21 標(biāo)簽:多晶硅晶體管集成芯片 2115 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET?

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納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...

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FinFET工藝之self-heating概念介紹

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當(dāng)做到FinFET工藝時才了解到這個名詞,在平面工藝時都沒有接觸SHE(self-heating effect)這個概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽:MOSSOIFinFET 2480 0

22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程

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半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實現(xiàn)所...

2023-12-06 標(biāo)簽:制造工藝22nm工藝流程 5642 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個題目,可能不少朋友都會滿臉問號,我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎?

2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 1138 0

數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識科普

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DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù),先進(jìn)工...

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS管FinFET數(shù)字后端 2754 0

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今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process ...

2023-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片22nm 1.3萬 0

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提高芯片的良率變得越來越困難,很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn),有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn),但是良率始終無法爬坡式的提升,很多朋友會問:芯片的良率提升真的有那么難...

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背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電,整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

2023-08-30 標(biāo)簽:處理器晶體管電源完整性 867 0

科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

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泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,le...

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半導(dǎo)體前端工藝:金屬布線—為半導(dǎo)體注入生命的連接

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生成接觸孔后,下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中,連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似,即先制作線的外皮。在一般的電路連接中,直接采用成品電線即可...

2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體TSMC晶體管 3250 0

什么是FinFET?鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點?

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推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝...

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合成是否仍然獨立于工藝

物理合成的好處是改進(jìn)了基于合成中實際物理信息的時序相關(guān)性,包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實現(xiàn)準(zhǔn)確的時序估計,使優(yōu)化引擎能夠?qū)W⒂谡_的路徑...

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有據(jù)可查的是,與平面晶體管相比,從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值,必須...

2023-05-25 標(biāo)簽:電容晶圓FinFET 485 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

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經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);

2023-04-28 標(biāo)簽:DRAM晶圓晶體管 975 0

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