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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時,縮放并...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 666 0
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律,也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題,代工廠正在尋求各種創(chuàng)新,例如背面供電(BSPD),以...
22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實現(xiàn)所...
看到這個題目,可能不少朋友都會滿臉問號,我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 1138 0
提高芯片的良率變得越來越困難,很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn),有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn),但是良率始終無法爬坡式的提升,很多朋友會問:芯片的良率提升真的有那么難...
背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電,整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..
科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,le...
提到FET,學(xué)電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場效應(yīng)管。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管FET 3705 0
半導(dǎo)體前端工藝:金屬布線—為半導(dǎo)體注入生命的連接
生成接觸孔后,下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中,連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似,即先制作線的外皮。在一般的電路連接中,直接采用成品電線即可...
什么是FinFET?鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點?
推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝...
2023-07-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FinFET 8681 0
物理合成的好處是改進(jìn)了基于合成中實際物理信息的時序相關(guān)性,包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實現(xiàn)準(zhǔn)確的時序估計,使優(yōu)化引擎能夠?qū)W⒂谡_的路徑...
有據(jù)可查的是,與平面晶體管相比,從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值,必須...
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