標簽　>　finfet存儲器

finfet存儲器+關(guān)注0人關(guān)注

文章：3個 瀏覽：4576次

　　與平面工藝相比，F(xiàn)inFET的復雜性一般會導致更加昂貴的制造工藝，F(xiàn)inFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對靜態(tài)功耗（線性）和動態(tài)功耗（二次方）都有積極作用?？晒?jié)省高達50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

關(guān)注此標簽的用戶(0人)