完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > FET
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡(jiǎn)單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動(dòng),所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對(duì)于FET,由于柵極沒(méi)有電流流過(guò),所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實(shí)際上,VGS是以源極為基準(zhǔn)的,像N溝JFET那樣,當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號(hào)。因此,VS等于將VGS加到VG上時(shí),就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對(duì)于FET來(lái)說(shuō),當(dāng)器件型號(hào)和工作點(diǎn)(ID)不同時(shí),VGS的值是不同的。流過(guò)源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒(méi)有電流流過(guò),ID=IS,所以上式也可以寫(xiě)成: VD=VDD-Is*RD 下面來(lái)求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS
LM3481-Q1系列 用于升壓、SEPIC 和反激式的 2.97V 至 48V 高效控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM3481-Q1 器件是一款用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件設(shè)計(jì)用于升壓、SEPIC 和反激式轉(zh...
2025-04-02 標(biāo)簽:控制器電阻器反激式轉(zhuǎn)換器 110 0
LM3481 2.97V 至 48V 高效控制器,用于升壓、SEPIC 和反激式數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM3481 器件是一款用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件設(shè)計(jì)用于升壓、SEPIC 和反激式轉(zhuǎn)換器,...
2025-04-02 標(biāo)簽:控制器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器帶寬 137 0
TPS40200 寬輸入非同步降壓 DC/DC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40200 是一款靈活的非同步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器,用于 P 溝道 FET。該電路在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有...
2025-04-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET基準(zhǔn)電壓源 143 0
TPS40200-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 寬輸入范圍非同步電壓模式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40200 是一款靈活的異步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器,用于 P 溝道 FET。該電路可在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,...
2025-04-01 標(biāo)簽:電流驅(qū)動(dòng)器控制器 87 0
TPS40200-Q1 汽車級(jí) 4.5V 至 52V 非同步電壓模式降壓控制器,帶有 P 溝道 FET 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)資料
TPS40200-Q1 是一款靈活的異步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器 用于 P 溝道 FET。該電路可在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有 一旦外部.....
2025-04-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制器FET 88 0
TPS40211 具有 260mV 參考電壓的 4.5V 至 52V 寬輸入范圍電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40210 和 TPS40211 是寬輸入電壓(4.5 V 至 52 V)異步升壓控制器。它們適用于需要接地源極 N 溝道 FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包...
2025-04-01 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器可編程FET 92 0
LM3488Q-Q1 40V 寬 VIN 低側(cè) N 溝道控制器,適用于關(guān)斷電流為 5μA 的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器技術(shù)資料
LM3488 是一款用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的多功能低側(cè) N-FET 高性能控制器。該器件適用于需要低側(cè) FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),...
2025-03-31 標(biāo)簽:控制器電阻器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 91 0
TPS40200-HT 高溫寬輸入非同步降壓 DC/DC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40200 是一款靈活的異步控制器,內(nèi)置 200mA 驅(qū)動(dòng)器,用于 P 溝道 FET。該電路在高達(dá) 52 V 的輸入下工作,具有省電功能...
2025-03-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制器低電壓 87 0
TPS40210-HT 高溫寬輸入范圍電流模式升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS40210 是一款寬輸入電壓(5.5 V 至 52 V)非同步升壓控制器。它適用于需要接地源極 N 溝道 FET 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括升壓、反激式、S.....
2025-03-28 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)器可編程FET 117 0
TPS53219A 具有 Eco 模式的 3V 至 28V、20A、同步 D-CAP 降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53219A 器件是一款小型單降壓控制器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP 模式控制。該器件適用于數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品中的低輸出電壓...
1
0
用UCC27611搭建的驅(qū)動(dòng)GaN FET電路,F(xiàn)ET的Drain極加電時(shí),UCC27611輸出端檢測(cè)到干擾波,為什么?
標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET 132 1
類別:電子資料 2024-11-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FET
類別:電子資料 2024-11-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器FETEVM
TPS53K上的統(tǒng)一接地連接建議-集成FET轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)立即下載
類別:電子資料 2024-10-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET
用于汽車應(yīng)用中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的外部或內(nèi)部FET立即下載
類別:電子資料 2024-09-29 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)FET
Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)...
一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FE...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 338 0
在2024年底剛開(kāi)過(guò)IEDM的主題演講(keynote speech),二維場(chǎng)效電晶體(2D Field Effect Transistor;2D FE...
安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
在2024年12月12日落幕的行家說(shuō)三代半年會(huì)上,行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢(shì),...
2024-12-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETGaN 652 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 1936 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 847 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(gu...
OVP可調(diào)過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片集成功率FET開(kāi)關(guān)
概述: PC9094過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動(dòng)保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(...
2023-12-29 標(biāo)簽:芯片過(guò)流保護(hù)FET 1316 0
針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開(kāi)創(chuàng)了寬禁...
2023-12-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 928 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題 教程专题
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |