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標(biāo)簽 > everspin
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MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準(zhǔn)生產(chǎn)
everspin在此生產(chǎn)基于180nm,130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國,臺(tái)灣和其他亞洲國家。在平面內(nèi)和垂直磁...
2020-04-15 標(biāo)簽:everspin 3543 0
新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspi...
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
eMRAM升級(jí)12nm工藝 將進(jìn)一步提升容量密度
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-M...
2020-03-16 標(biāo)簽:內(nèi)存everspinGlobalFoundries 2518 0
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點(diǎn)
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的? Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...
Everspin器件是一個(gè)40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標(biāo)稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗且环N高性能存儲(chǔ)器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
Everspin推出業(yè)界首款16Mb MRAM產(chǎn)品MR4A16B
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 進(jìn)一...
Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。擁有超過600多項(xiàng)有效專利和申...
一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
2020-05-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 971 0
?醫(yī)用呼吸機(jī)Everspin MRAM應(yīng)用筆記
由于當(dāng)前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機(jī)的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨(dú)特的MRAM存儲(chǔ)技術(shù),它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...
2020-05-28 標(biāo)簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 917 0
新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗
在新型 RAM 技術(shù)中,MRAM對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗,同時(shí)...
太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級(jí)Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲(chǔ)器市場的翹楚,并基于Everspi...
2020-05-14 標(biāo)簽:航天應(yīng)用MRAM太空技術(shù) 882 0
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商,在包括40nm,28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙...
隨著低功耗傳感器技術(shù)的進(jìn)步,設(shè)備僅需極小電量就可高效地傳輸數(shù)據(jù)。作為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一個(gè)類別,智能表計(jì)在全球各地均有廣泛地應(yīng)用。特別是疫情期間,其遠(yuǎn)程抄...
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進(jìn),對(duì)其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗(yàn)傳授給Glo...
醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM存儲(chǔ)器
Everspin擁有包括40nm,28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。E...
2020-04-30 標(biāo)簽:接口醫(yī)療設(shè)備everspin 649 0
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由...
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