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標簽 > everspin
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隨著低功耗傳感器技術的進步,設備僅需極小電量就可高效地傳輸數(shù)據(jù)。作為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)設備的一個類別,智能表計在全球各地均有廣泛地應用。特別是疫情期間,其遠程抄...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內存技術是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
一種應用于醫(yī)療設備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產品的簡單異步靜態(tài)隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設計易于實現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
太空應用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
Everspin擁有包括40nm,28nm及更高技術節(jié)點在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。E...
MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準生產
everspin在此生產基于180nm,130nm和90nm工藝技術節(jié)點的MRAM產品。產品包裝和測試業(yè)務遍及中國,臺灣和其他亞洲國家。在平面內和垂直磁...
2020-04-15 標簽:everspin 3543 0
Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設計,MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申...
在新型 RAM 技術中,MRAM對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內存 -NAND閃存-低得多的功耗,同時...
Everspin在磁存儲器設計,制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產...
MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎,MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結與其隔離的自由...
Everspin是專業(yè)研發(fā)生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商,在包括40nm,28nm及更高的技術節(jié)點在內的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙...
ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術,因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調優(yōu)化。能迅速積累并將這些經驗傳授給Glo...
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經達成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-M...
2020-03-16 標簽:內存everspinGlobalFoundries 2518 0
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