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everspin資訊

隨著低功耗傳感器技術(shù)的進(jìn)步，設(shè)備僅需極小電量就可高效地傳輸數(shù)據(jù)。作為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一個類別，智能表計在全球各地均有廣泛地應(yīng)用。特別是疫情期間，其遠(yuǎn)程抄...

2021-07-27 標(biāo)簽：智能電表 MRAM everspin 780 0

Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征

MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...

2022-01-26 標(biāo)簽：MRAM 非易失性存儲器 everspin 481 0

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...

2020-09-19 標(biāo)簽：MRAM everspin stt_mram 2961 0

SPI-MRAM如何替換SPI-FRAM

Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標(biāo)稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1...

2020-09-19 標(biāo)簽：MRAM everspin 1867 0

Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點

Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...

2020-09-19 標(biāo)簽：MRAM everspin 2045 0

一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A

Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機存取存儲器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn)，無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...

2020-05-29 標(biāo)簽：存儲器醫(yī)療設(shè)備呼吸機 971 0

?醫(yī)用呼吸機Everspin MRAM應(yīng)用筆記

由于當(dāng)前疫情的大流行，增加醫(yī)用呼吸機的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨特的MRAM存儲技術(shù)，它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...

2020-05-28 標(biāo)簽：醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機 916 0

太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM

Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚，并基于Everspi...

2020-05-14 標(biāo)簽：航天應(yīng)用 MRAM 太空技術(shù) 882 0

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspi...

2020-04-25 標(biāo)簽：NAND閃存 MRAM everspin 2985 0

醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM存儲器

Everspin擁有包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。E...

2020-04-30 標(biāo)簽：接口醫(yī)療設(shè)備 everspin 649 0

MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準(zhǔn)生產(chǎn)

everspin在此生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。在平面內(nèi)和垂直磁...

2020-04-15 標(biāo)簽：everspin 3543 0

Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA

用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...

2020-04-15 標(biāo)簽：賽普拉斯 everspin 1899 0

Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF

Everspin在磁存儲器設(shè)計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申...

2020-04-15 標(biāo)簽：Serial everspin 1035 0

新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實現(xiàn)低功耗

在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算設(shè)備具有特別有吸引力。因為它能實現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時...

2020-04-07 標(biāo)簽：RAM NAND閃存 everspin 889 0

用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM

Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...

2020-04-09 標(biāo)簽：MRAM everspin 863 0

非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由...

2020-04-07 標(biāo)簽：MRAM everspin 601 0

Everspin MRAM解決方案的新應(yīng)用程序

Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點上進(jìn)行了全包交鑰匙...

2020-04-07 標(biāo)簽：MRAM everspin stt_mram 804 0

超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)

ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...

2020-04-03 標(biāo)簽：MRAM everspin 1402 0

everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新

Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史，而且十多年來，通過不斷改進(jìn)，對其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗傳授給Glo...

2020-03-23 標(biāo)簽：MRAM everspin 776 0

eMRAM升級12nm工藝將進(jìn)一步提升容量密度

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-M...

2020-03-16 標(biāo)簽：內(nèi)存 everspin GlobalFoundries 2517 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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