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標(biāo)簽 > everspin
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MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準(zhǔn)生產(chǎn)
everspin在此生產(chǎn)基于180nm,130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國,臺灣和其他亞洲國家。在平面內(nèi)和垂直磁...
2020-04-15 標(biāo)簽:everspin 3543 0
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-M...
2020-03-16 標(biāo)簽:內(nèi)存everspinGlobalFoundries 2517 0
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的及其特點(diǎn)
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的? Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標(biāo)稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù),因?yàn)樗且环N高性能存儲器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴(kuò)展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
Everspin推出業(yè)界首款16Mb MRAM產(chǎn)品MR4A16B
磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 進(jìn)一...
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì),MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。擁有超過600多項(xiàng)有效專利和申...
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