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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

      +關(guān)注8人關(guān)注

      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：593個(gè) 瀏覽：86065次 帖子：0個(gè)

      euv資訊

      euv光刻機(jī)難在哪里

      　在半導(dǎo)體制造過程中，光刻機(jī)是最核心的設(shè)備，同時(shí)，也是研發(fā)難度最高的設(shè)備。

      2022-07-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 7454 0

      中芯國際與ASML光刻機(jī)問題解決，開始進(jìn)入光刻階段

      在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入 10nm 節(jié)點(diǎn)之后，制造越來越困難，其中最復(fù)雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機(jī)了，而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應(yīng)。

      2019-12-10 標(biāo)簽：中芯國際euv 7422 0

      華為突破EUV光刻機(jī)核心技術(shù)！

      2022年華為前三季度研發(fā)投入超1100億，10年來華為研發(fā)投入近萬億！華為最近在光芯片、量子芯片方面頻頻突破，讓外媒感到震驚！

      2022-11-25 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 7397 0

      國家集成電路創(chuàng)新中心啟動(dòng)，將聚焦5nm及以下集成電路研發(fā)

      國家集成電路創(chuàng)新中心、國家智能傳感器創(chuàng)新中心啟動(dòng)會(huì)7月3日在上海舉行。國家集成電路創(chuàng)新中心將圍繞5nm及以下集成電路，聚焦四大共性技術(shù)，支持國產(chǎn)高端芯片...

      2018-07-04 標(biāo)簽：集成電路euv 7298 0

      ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

      ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī)

      ASML拒絕美要求禁止對(duì)華出售光刻機(jī) 荷蘭ASML公司 （全稱： Advanced Semiconductor Material Lithography...

      2022-10-31 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 7259 0

      實(shí)現(xiàn)3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)需要突破哪些半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)

      實(shí)現(xiàn)3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)需要突破哪些半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)

      將互連擴(kuò)展到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及以下需要多項(xiàng)創(chuàng)新。IMEC認(rèn)為雙大馬士革中的單次顯影EUV，Supervia結(jié)構(gòu)，半大馬士革工藝以及后段（BEOL）中的附加...

      2019-09-15 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體IMEC 7239 0

      關(guān)于EUV的性能分析和挑戰(zhàn)

      關(guān)于EUV的性能分析和挑戰(zhàn)

      CD-SEM和相關(guān)工具可能會(huì)遇到信號(hào)與噪聲問題，從而導(dǎo)致所謂CD偏差的問題。為了解決這個(gè)問題，F(xiàn)ractilia有一個(gè)能夠測(cè)量LER和通孔失效的軟件工具...

      2019-09-03 標(biāo)簽：晶圓晶體管EUV 7189 0

      如何發(fā)現(xiàn)EUV過程中產(chǎn)生的缺陷

      如何發(fā)現(xiàn)EUV過程中產(chǎn)生的缺陷

      而以上所說的化學(xué)反應(yīng)就是隨機(jī)缺陷產(chǎn)生的源頭，然而最大的困難就是這些反應(yīng)中存在這許多未知因素的干擾?！坝捎谶@一復(fù)雜的物理化學(xué)反應(yīng)過程存在著一些未知因素，因...

      2018-05-03 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體EUV 7181 0

      euv光刻機(jī)是干什么的

      光刻機(jī)是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，它能夠制造和維護(hù)需要高水平的光學(xué)和電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，全球只有少數(shù)制造商掌握了這一基礎(chǔ)。 光刻機(jī)的作用是對(duì)芯片晶圓進(jìn)行掃...

      2022-07-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 6942 0

      半導(dǎo)體光刻膠基礎(chǔ)知識(shí)講解

      此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)...

      2020-10-15 標(biāo)簽：芯片pcb半導(dǎo)體 6916 0

      臺(tái)積電首個(gè)EUV工藝的N7+開始向客戶交付產(chǎn)品

      10月7日，臺(tái)積電宣布，其業(yè)界首款可商用的極紫外（EUV）光刻技術(shù)七納米plus（N7+）將向客戶交付產(chǎn)品。采用EUV技術(shù)的N7+工藝建立在臺(tái)積電成功的...

      2019-10-09 標(biāo)簽：臺(tái)積電光刻EUV 6886 0

      臺(tái)灣地區(qū)與韓國對(duì)光刻機(jī)需求最強(qiáng)烈 先進(jìn)制程的光刻設(shè)備出貨前景看好

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      2019-06-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 6876 0

      A股半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營收靚麗！打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈 博康欲成國產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

      A股半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營收靚麗！打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈 博康欲成國產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

      光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長傅志偉...

      2022-08-29 標(biāo)簽：EUV光刻膠南大光電 6872 0

      臺(tái)積電與三星下重金，ASML 2019年EUV產(chǎn)量訂單有望全滿

      《巴倫》報(bào)導(dǎo)，芯片設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾ASML的表現(xiàn)可能要比大多數(shù)人想像的要好，瑞士信貸分析師Farhan Ahmad即認(rèn)為，艾司摩爾的產(chǎn)品是芯片制造商臺(tái)...

      2018-04-14 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電EUV 6662 0

      到2024年，半導(dǎo)體研發(fā)將促EUV光刻、3納米、3D芯片堆疊技術(shù)增長

      據(jù)IC Insights發(fā)布的最新2020 McClean報(bào)告顯示，半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)的投入將在2024年出現(xiàn)明顯成效包括轉(zhuǎn)向EUV光刻，低于3納米制程技術(shù)...

      2020-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體3D芯片EUV 6471 0

      ASML新增訂單來自中芯國際？

      2018年7月18日，ASML公布了第二季度業(yè)績報(bào)告，報(bào)告顯示第二季度EUV出貨量為4套，比預(yù)期高出一套，這是否意味著ASML的生產(chǎn)能力正在提升，中芯國...

      2018-07-21 標(biāo)簽：中芯國際EUVASML 6420 0

      光刻技術(shù)的原理及其難點(diǎn)分別是什么

      光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光。

      2022-09-13 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)EUV 6392 0

      三星使用EUV成功完成5nm FinFET工藝開發(fā)

      16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子...

      2019-04-18 標(biāo)簽：三星電子EUVFinFET工藝 6376 0

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        　　手機(jī)拆解過程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報(bào)廢汽車的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個(gè)車架被送進(jìn)一個(gè)巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
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        瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
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