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      標簽　>　euv

      euv

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      EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產euv光刻機發(fā)展等內容。

      文章：593個 瀏覽：86064次 帖子：0個

      euv資訊

      美國商務部更新半導體出口管制細則

      實際上，浙商電子的研究報告指出，美方此次出口管制的核心轉變在于加強了對EUV掩?；宓墓芸?，明晰了集成電路的性能關鍵參數定義及計算方法，強化了對集成電路...

      2024-04-03 標簽：芯片集成電路EUV 780 0

      光刻膠技術創(chuàng)新引領共性難題解決新方向

      隨著半導體制造工藝節(jié)點不斷發(fā)展至100納米甚至更小的10納米級別，如何制作出尺寸精度高、表面特征優(yōu)秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

      2024-04-02 標簽：半導體制造EUV光刻膠 553 0

      ASML推出首款2nm低數值孔徑EUV設備Twinscan NXE：3800E

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      所謂低數值孔徑EUV，依然是行業(yè)絕對領先。

      2024-03-15 標簽：晶圓存儲芯片EUV 633 0

      ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝

      ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝

      3 月 13 日消息，光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝，新機型將帶來更高的生產效...

      2024-03-14 標簽：光刻機EUVASML 564 0

      Intel揭示全新工藝路線圖：14A技術有望2026年問世

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      2024-03-12 標簽：英特爾臺積電晶圓代工 1288 0

      三星清空ASML股份，11年盈利超16倍

      根據資料顯示，在2012年，為了支持ASML EUV光刻機的研發(fā)與商用，并獲得EUV光刻機的優(yōu)先供應，在2012年，英特爾、臺積電、三星均斥資入股了AS...

      2024-02-23 標簽：光刻機EUVASML 1050 0

      探究ASML驚人崛起的背后原因

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      SEMI于2023年12月12日宣布，預計2023年全球半導體制造設備市場將較2022年創(chuàng)紀錄的1074億美元下降6.1%。然而，有些設備制造商不顧這種...

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      佳能近日表示，計劃年內或明年上市使用納米壓印技術的光刻設備FPA-1200NZ2C。對比已商業(yè)化的EUV光刻技術，雖然納米壓印的制造速度較傳統方式緩慢，...

      2024-01-31 標簽：佳能EUV納米壓印 1284 0

      半導體行業(yè)能否走出低谷，中國影響幾何？

      英特爾和臺積電都在技術上投入資金。三星和其他內存制造商必須跟上技術節(jié)點的轉變，即使同時保持產能遠離市場。他們需要跟上技術的步伐，以在摩爾定律的基礎上保持...

      2024-01-29 標簽：英特爾臺積電光刻機 814 0

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      2024-01-25 標簽：晶圓代工芯片制造EUV 522 0

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      2024-01-16 標簽：芯片EUVSK海力士 1124 0

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      比利時納米電子創(chuàng)新中心imec和日本化學公司三井化學宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，將下一代EUV半導體光刻系統的關鍵組件商業(yè)化。

      2024-01-08 標簽：半導體CNTEUV 921 0

      Imec 與三井化學公司簽署戰(zhàn)略合作協議，將用于 EUV 光刻技術的 CNT 薄膜技術商業(yè)化

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