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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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英特爾率先推出業(yè)界高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)
來源:Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業(yè)界首個高數(shù)值孔徑(高NA)極紫外(EUV)光刻系統(tǒng)。 新設備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能...
2024-04-26 標簽:英特爾EUV光刻系統(tǒng) 471 0
范登布林克指出,更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說,Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產(chǎn)流程,避免因使用 High NA 光刻機進行雙...
半導體芯科技編譯 來源:Silicon Semiconductor eBeam Initiative已完成第12屆年度eBeam Initiative杰...
另一方面,臺積電的年度技術論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行,備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術,該技術將結合納米片晶體管和超級電軌架構。
英特爾推進面向未來節(jié)點的技術創(chuàng)新,在2025年后鞏固制程領先性
英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標,目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。...
Dai Nippon Printing Co., Ltd.(DNP)近期在半導體制造技術領域取得了重大突破,成功實現(xiàn)了適用于超2nm(納米,即10^-9...
盡管High NA EUV光刻機有望使芯片設計尺寸縮減達三分之二,但芯片制造商需要權衡利弊,考慮其高昂的成本及ASML老款設備的可靠性問題。
美投資8.25億美元建設NSTC關鍵設施,重點發(fā)展EUV光刻技術
拜登政府已宣布一項重大投資決策,計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設國家半導體技術中心(NSTC)的核心設施。據(jù)美國商務部透露,奧爾巴尼...
在2023年12月舉辦的“Semicon Japan”演講中,SEMI演講者預計2025年相關投資額將達到1,250億美元。
該企業(yè)宣布其制造部門于2023年度產(chǎn)生70億美元的運營虧損,相比去年同期的52億美元有所擴大;另一方面,盡管該部門2023年呈現(xiàn)出189億美元的銷售收入...
英特爾從以色列政府獲得32億美元撥款 用于建設250億美元芯片工廠
來源:Silicon Angle 英特爾公司已獲得以色列政府32億美元的撥款,用于在該國建造一座價值250億美元的新芯片工廠。 該公司近日宣布了這項交易...
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