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7nm制程硝煙四起 臺積電/三星要超越英特爾？

在一場將于12月舉行的技術(shù)研討會上，晶圓代工大廠臺積電（TSMC）將與競爭對手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的伙伴聯(lián)盟，公開...

2016-10-25 標(biāo)簽：芯片制造EUV7nm制程 1110 0

電子芯聞早報：三星焦頭爛額仍砸錢買EUV 樂Pro3跑分被小米5s超越

今日芯聞早報：三星焦頭爛額仍砸錢買EUV追趕臺積電；和輝光電宣布建六代AMOLED廠；iPhone 7風(fēng)潮可望拉抬半導(dǎo)體封測業(yè)績表現(xiàn)；Apple Wat...

2016-09-22 標(biāo)簽：EUV小米vr小米5s 2280 0

三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)

在這場最先進工藝產(chǎn)能的競爭中，隨著三星和Intel的加入，無論是哪一家獲得蘋果或高通的芯片訂單，沒有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會爭取大陸的芯片...

2016-09-02 標(biāo)簽：三星電子10nmEUV 1054 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)：EUV光刻最新進展如何

現(xiàn)在16/14nm節(jié)點時通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

2016-08-02 標(biāo)簽：英特爾EUV 1075 0

后摩爾定律時代，半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?

不能否認的是，摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對于未來技術(shù)如何發(fā)展，早已有了“More Moore”（繼續(xù)推進摩爾定律）和“More than Moore...

2016-06-02 標(biāo)簽：摩爾定律IMECEUV 1152 0

2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

在9月份召開的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會上，ASML公司的臺灣地區(qū)銷售經(jīng)理鄭國偉透露，第3代極紫外光（EUV）設(shè)備已出貨6臺。

2014-10-11 標(biāo)簽：臺積電FinFETEUV 1880 5

EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步履維艱

期EUV光刻機出現(xiàn)一系列的問題被曝光。有些專家認為在TSMC現(xiàn)場出現(xiàn)的光源故障對于EUV的實用性，尤其是對于未來的量產(chǎn)型EUV光刻機客戶會產(chǎn)生疑惑，可能...

2014-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺積電EUV 1889 0

芯片突破摩爾定律？英特爾說EUV光刻技術(shù)可做到

據(jù)美國科技博客BusinessInsider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著...

2013-11-01 標(biāo)簽：芯片英特爾摩爾定律 1924 0

ASML：預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺

設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾（ASML）已協(xié)同比利時微電子研究中心（IMEC）和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型...

2013-08-19 標(biāo)簽：英特爾臺積電IP 1791 0

14納米工藝節(jié)點會給設(shè)計帶來哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國際物理系統(tǒng)研討會（ISPD）上專家表示：實現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會比原先想象的更困難；14納米節(jié)點給設(shè)計師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見本文...

2013-04-08 標(biāo)簽：3DFinFETEUV 3689 0

浸潤式微影技術(shù)強勢晉級，EUV技術(shù)可有出頭日？

浸潤式微影技術(shù)、多重圖形以及高折射率液體，將讓193納米微影設(shè)備走到國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖（ITRS）目前的終點：8納米。屆時，EUV技術(shù)可有出頭日？

2012-12-26 標(biāo)簽：英特爾德州儀器EUV 5731 0

深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)

20nm節(jié)點在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。

2012-12-14 標(biāo)簽：三星電子TSMCEUV 3156 0

摩爾定律在14nm節(jié)點上迎來大挑戰(zhàn)

在2012年度的國際電子元件大會上，有專家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點上會迎來大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽：摩爾定律EUV 1127 0

ASML聲稱：EUV設(shè)備最快會在2016年推出

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 光刻設(shè)備廠商ASML Holding NV的CEO Eric Meurice 宣稱該公司已經(jīng)投入到下一代元紫外線光刻技術(shù)（EUV）設(shè)備...

2012-07-19 標(biāo)簽：EUVASML 1411 0

英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯過良機

盡管英特爾在距今4年前便已開始計劃10nm節(jié)點，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計規(guī)則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏?！癊UV趕不及參與10nm節(jié)點設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽：英特爾10nmEUV 1150 0