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標(biāo)簽 > euv
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題,國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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英特爾與GlobalFoundries分別介紹介電質(zhì)材料不同的新一代制程技術(shù)細(xì)節(jié)
在2017年度IEEE國際電子組件會(huì)議(IEDM)上,Intel與GlobalFoundries分別介紹了讓人眼前一亮的新一代制程技術(shù)細(xì)節(jié)。
全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展及趨勢(shì)分析
相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)好了許多,但是仍有少部分人提出質(zhì)疑,2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)...
三星臺(tái)積電廝殺4nm之戰(zhàn),三星搶先一步入將EUV
晶圓代工之戰(zhàn),7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出,4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱,三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備...
莫大康:若7nm EUV禁運(yùn),中國半導(dǎo)體怎么辦?
近日見到一文7nm大戰(zhàn)在即買不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦?。 受瓦圣納條約的限止,今天中國即便有錢想買EUV光刻機(jī)也不可能,此話是事實(shí),不是危言聳聽...
盡管EUV現(xiàn)在還存在各種障礙,但是其未來應(yīng)用前景依然各方被看好。從長遠(yuǎn)角度來看,發(fā)展EUV技術(shù)是非常必要的。對(duì)此,林雨指出:“自上世紀(jì)九十年代起,中國...
2017-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三星電子臺(tái)積電 1343 0
競(jìng)購EUV機(jī)臺(tái),三星的計(jì)劃真能得逞嗎?
韓媒BusinessKorea昨日?qǐng)?bào)道,三星有意一口氣買下10臺(tái)單價(jià)為1.76億美元的EUV。三星如果真的這樣做,那就會(huì)提升其在7nm等先進(jìn)工藝上的領(lǐng)先...
中芯國際CEO趙海軍:EUV將在7nm形成主流 專注生產(chǎn)大技術(shù)
中芯國際CEO趙海軍表示,摩爾定律現(xiàn)在還在繼續(xù)發(fā)展,EUV將在7nm形成主流,EUV變化非常大,很多環(huán)節(jié)都要重新開始,變化來的太快。28納米工藝如果到7...
為對(duì)抗三星臺(tái)積電搶吃EUV商機(jī)_臺(tái)積大聯(lián)盟成軍了
為對(duì)抗三星,臺(tái)積電計(jì)劃導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影設(shè)備,決定在7納米強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計(jì)、并在5納米全數(shù)導(dǎo)入。這項(xiàng)決定引發(fā)群聚效應(yīng),激勵(lì)相關(guān)設(shè)備供應(yīng)鏈和材料...
三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后,臺(tái)積電緊跟步伐!
在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后,讓EUV輸出率獲得快速提升,臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計(jì)定案,5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
看來這和國大國小沒關(guān)系??氨缺忍貛殴S!臺(tái)積電一臺(tái)EUV光刻機(jī)一天耗電可達(dá)3萬度
尖端光刻機(jī)一直都荷蘭壟斷,機(jī)器都有他們自己的維護(hù)人員,所以說我們距離他們差的確實(shí)很遠(yuǎn)。我相信創(chuàng)新的力量,中國“我能”
EUV極紫外光時(shí)代步伐漸近 或?qū)⒂瓉?50瓦EUV光源
盡管所花的時(shí)間與成本幾乎比所有人預(yù)期得要多,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影技術(shù)的大量生產(chǎn)──在...
中國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)迎來黃金時(shí)機(jī) 發(fā)展還需再扶一程
與正在蓬勃成長的中國芯片制造業(yè)一樣,中國的半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正在迎來新的曙光。據(jù)北方華創(chuàng)微電子的消息,它在2017年1月的訂單量已經(jīng)超過去年第一季度的總量。半...
2017-03-10 標(biāo)簽:euv北方華創(chuàng)微電子 1025 0
探討光源技術(shù)最新進(jìn)展 EUV量產(chǎn)指日可待?
在日前于美國舉行的西部光電展(Photonics West)上,業(yè)界多家廠商探討了極紫外光(EUV)微影所需的250W光源、具有發(fā)展前景的紅外線與近紅外...
EUV微影技術(shù)仍待克服重重障礙 2020年將用于關(guān)鍵步驟
極紫外光(EUV)微影技術(shù)持續(xù)取得重大進(jìn)展。在日前于美國加州圣荷西舉行的國際光電工程學(xué)會(huì)(SPIE)年度會(huì)議上,英特爾(Intel)與三星(Samsun...
如果歷史可以重演的話,日本人Takanashi一定會(huì)重新選擇申請(qǐng)專利的時(shí)間。1984年,正是他在一項(xiàng)美國專利中定義了浸入式光刻機(jī)最基本的結(jié)構(gòu)特征,即在最...
EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)
推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎?這也不太可能,7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝,研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15...
2017-01-22 標(biāo)簽:摩爾定律EUVEUV光刻機(jī) 3551 0
可怕的臺(tái)積電,一口氣買下5臺(tái)EUV光刻機(jī)
巴隆周刊(Barrons)報(bào)導(dǎo),艾司摩爾(ASML)上周公布上季財(cái)報(bào)亮眼,并宣布已接到新一代極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)六部訂單,有分析師推測(cè),臺(tái)積電可能...
芯片制造關(guān)鍵的EUV光刻機(jī)單價(jià)為何能超1億歐元?
進(jìn)入10nm工藝節(jié)點(diǎn)之后,EUV光刻機(jī)越來越重要,全球能產(chǎn)EUV光刻機(jī)的就是荷蘭ASML公司了,他們總共賣出18臺(tái)EUV光刻機(jī),總價(jià)值超過20億歐元,折...
臺(tái)積電PK三星7納米制程 EUV成為關(guān)鍵
“7納米是很重要的節(jié)點(diǎn),是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。三星和臺(tái)積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米,而EUV是摩爾定律能夠進(jìn)一步延...
臺(tái)積電搶跑7nm制程 EUV準(zhǔn)備好了嗎?
先進(jìn)制程顯然對(duì)吸引高利潤率業(yè)務(wù)極為關(guān)鍵,各家企業(yè)早在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上展開時(shí)間競(jìng)賽。如今,先進(jìn)制程的戰(zhàn)役已在10納米開鑼,繼臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科共同推出10納米產(chǎn)品H...
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