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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv資訊

英特爾與臺(tái)積電出投巨資建設(shè)450mm晶圓和EUV曝光

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 圍繞450mm晶圓和EUV(Extreme Ultraviolet,超紫外線)曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月,全球最大的曝光...

2012-09-10 標(biāo)簽:英特爾臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù) 1168 0

三星投資60億美元7nm EUV工廠動(dòng)工 后者驍龍芯片可能誕生于此

據(jù)報(bào)道,三星投資60億美元建設(shè)的新的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)破土動(dòng)工,此工廠主用于擴(kuò)充7nm EUV的產(chǎn)能,有人猜測(cè)后者的驍龍芯片將可能會(huì)在這里誕生。

2018-02-26 標(biāo)簽:三星電子euv7nm工藝 1162 0

英特爾正在順利推進(jìn)的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)

英特爾正在順利推進(jìn)的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)

英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

2024-05-11 標(biāo)簽:英特爾晶體管EUV 1156 0

后摩爾定律時(shí)代,半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?

不能否認(rèn)的是,摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對(duì)于未來(lái)技術(shù)如何發(fā)展,早已有了“More Moore”(繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律)和“More than Moore...

2016-06-02 標(biāo)簽:摩爾定律IMECEUV 1152 0

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定,EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)

盡管英特爾在距今4年前便已開(kāi)始計(jì)劃10nm節(jié)點(diǎn),但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計(jì)規(guī)則,而EUV則遲遲未能參與此一盛晏?!癊UV趕不及參與10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽:英特爾10nmEUV 1151 0

摩爾定律在14nm節(jié)點(diǎn)上迎來(lái)大挑戰(zhàn)

在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上,有專(zhuān)家指出,半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn),而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽:摩爾定律EUV 1127 0

SK海力士擬將無(wú)錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝,并引進(jìn)EUV技術(shù)

Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理,最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡...

2024-01-16 標(biāo)簽:芯片EUVSK海力士 1125 0

7nm制程硝煙四起 臺(tái)積電/三星要超越英特爾?

在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上,晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星(Samsung)結(jié)成的伙伴聯(lián)盟,公開(kāi)...

2016-10-25 標(biāo)簽:芯片制造EUV7nm制程 1111 0

紫光展銳ic設(shè)計(jì)給力 6納米工藝的5G芯片的手機(jī)明年將上市

紫光展銳ic設(shè)計(jì)很給力;紫光展銳積極布局5G,除了搭載其6納米5G芯片的手機(jī)將于明年量產(chǎn),展銳還推出了一系列5G產(chǎn)品。 T7520很快會(huì)達(dá)到CS(商業(yè)樣...

2020-11-12 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)socEUV 1110 0

臺(tái)積投資加大封裝的擴(kuò)產(chǎn) 7納米強(qiáng)化版極紫外光技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)

臺(tái)積電每年獎(jiǎng)勵(lì)優(yōu)良供應(yīng)商中,幾乎以外商為主,包括美商應(yīng)材、科林研發(fā)、荏原制作所、臺(tái)灣先藝科技、日立國(guó)際、日商豪雅、信越化學(xué)及信越半導(dǎo)體和勝高等。

2018-04-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電三星電子蘋(píng)果 1078 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán):EUV光刻最新進(jìn)展如何

現(xiàn)在16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù),如果EUV成功量產(chǎn),可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù),成本上可大幅的節(jié)省。

2016-08-02 標(biāo)簽:英特爾EUV 1078 0

日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...

2024-08-03 標(biāo)簽:光刻技術(shù)EUV 1076 0

生產(chǎn)2納米的利器!成本高達(dá)3億歐元,High-NA EUV***年底交付 !

ASML是歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備商,主導(dǎo)全球光刻機(jī)設(shè)備市場(chǎng),光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造關(guān)鍵步驟,但高數(shù)值孔徑(High NA)EUV,Peter Wennink指有...

2023-09-08 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUV半導(dǎo)體芯片 1074 0

改進(jìn)芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)

使用13.5nm波長(zhǎng)的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡(jiǎn)歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)。

2023-12-29 標(biāo)簽:激光器芯片制造光刻機(jī) 1068 0

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

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2023-11-23 標(biāo)簽:DRAM光刻EUV 1056 0

三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)

在這場(chǎng)最先進(jìn)工藝產(chǎn)能的競(jìng)爭(zhēng)中,隨著三星和Intel的加入,無(wú)論是哪一家獲得蘋(píng)果或高通的芯片訂單,沒(méi)有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會(huì)爭(zhēng)取大陸的芯片...

2016-09-02 標(biāo)簽:三星電子10nmEUV 1055 0

三星清空ASML股份,11年盈利超16倍

根據(jù)資料顯示,在2012年,為了支持ASML EUV光刻機(jī)的研發(fā)與商用,并獲得EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供應(yīng),在2012年,英特爾、臺(tái)積電、三星均斥資入股了AS...

2024-02-23 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUVASML 1051 0

臺(tái)積電搶跑7nm制程 EUV準(zhǔn)備好了嗎?

先進(jìn)制程顯然對(duì)吸引高利潤(rùn)率業(yè)務(wù)極為關(guān)鍵,各家企業(yè)早在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上展開(kāi)時(shí)間競(jìng)賽。如今,先進(jìn)制程的戰(zhàn)役已在10納米開(kāi)鑼?zhuān)^臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科共同推出10納米產(chǎn)品H...

2017-01-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUV7nm制程 1041 0

EUV光刻的無(wú)名英雄

EUV光刻的無(wú)名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小...

2023-04-27 標(biāo)簽:晶圓廠光刻EUV 1038 0

日本和荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄 共同推進(jìn)2nm***合作

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省和荷蘭經(jīng)濟(jì)和氣候政策省于6月21日簽署了促進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域等合作的合作備忘錄(MOC: Memorandum of Coo...

2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻機(jī)EUV 1036 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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