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標(biāo)簽 > euv
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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英特爾與臺(tái)積電出投巨資建設(shè)450mm晶圓和EUV曝光
圍繞450mm晶圓和EUV(Extreme Ultraviolet,超紫外線)曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月,全球最大的曝光...
2012-09-10 標(biāo)簽:英特爾臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù) 1168 0
三星投資60億美元7nm EUV工廠動(dòng)工 后者驍龍芯片可能誕生于此
據(jù)報(bào)道,三星投資60億美元建設(shè)的新的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)破土動(dòng)工,此工廠主用于擴(kuò)充7nm EUV的產(chǎn)能,有人猜測(cè)后者的驍龍芯片將可能會(huì)在這里誕生。
英特爾正在順利推進(jìn)的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)
英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
后摩爾定律時(shí)代,半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?
不能否認(rèn)的是,摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對(duì)于未來(lái)技術(shù)如何發(fā)展,早已有了“More Moore”(繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律)和“More than Moore...
英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定,EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)
盡管英特爾在距今4年前便已開(kāi)始計(jì)劃10nm節(jié)點(diǎn),但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計(jì)規(guī)則,而EUV則遲遲未能參與此一盛晏?!癊UV趕不及參與10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)...
摩爾定律在14nm節(jié)點(diǎn)上迎來(lái)大挑戰(zhàn)
在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上,有專(zhuān)家指出,半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn),而不符合偶爾定律的要求。
SK海力士擬將無(wú)錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝,并引進(jìn)EUV技術(shù)
Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理,最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡...
在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上,晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星(Samsung)結(jié)成的伙伴聯(lián)盟,公開(kāi)...
紫光展銳ic設(shè)計(jì)給力 6納米工藝的5G芯片的手機(jī)明年將上市
紫光展銳ic設(shè)計(jì)很給力;紫光展銳積極布局5G,除了搭載其6納米5G芯片的手機(jī)將于明年量產(chǎn),展銳還推出了一系列5G產(chǎn)品。 T7520很快會(huì)達(dá)到CS(商業(yè)樣...
2020-11-12 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)socEUV 1110 0
臺(tái)積投資加大封裝的擴(kuò)產(chǎn) 7納米強(qiáng)化版極紫外光技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)
臺(tái)積電每年獎(jiǎng)勵(lì)優(yōu)良供應(yīng)商中,幾乎以外商為主,包括美商應(yīng)材、科林研發(fā)、荏原制作所、臺(tái)灣先藝科技、日立國(guó)際、日商豪雅、信越化學(xué)及信越半導(dǎo)體和勝高等。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán):EUV光刻最新進(jìn)展如何
現(xiàn)在16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù),如果EUV成功量產(chǎn),可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù),成本上可大幅的節(jié)省。
日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...
生產(chǎn)2納米的利器!成本高達(dá)3億歐元,High-NA EUV***年底交付 !
ASML是歐洲最大半導(dǎo)體設(shè)備商,主導(dǎo)全球光刻機(jī)設(shè)備市場(chǎng),光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造關(guān)鍵步驟,但高數(shù)值孔徑(High NA)EUV,Peter Wennink指有...
2023-09-08 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUV半導(dǎo)體芯片 1074 0
改進(jìn)芯片技術(shù)的關(guān)鍵因素——光刻技術(shù)
使用13.5nm波長(zhǎng)的光進(jìn)行成像的EUV光刻技術(shù)已被簡(jiǎn)歷。先進(jìn)的邏輯產(chǎn)品依賴于它,DRAM制造商已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)。
三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)
在這場(chǎng)最先進(jìn)工藝產(chǎn)能的競(jìng)爭(zhēng)中,隨著三星和Intel的加入,無(wú)論是哪一家獲得蘋(píng)果或高通的芯片訂單,沒(méi)有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會(huì)爭(zhēng)取大陸的芯片...
根據(jù)資料顯示,在2012年,為了支持ASML EUV光刻機(jī)的研發(fā)與商用,并獲得EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供應(yīng),在2012年,英特爾、臺(tái)積電、三星均斥資入股了AS...
臺(tái)積電搶跑7nm制程 EUV準(zhǔn)備好了嗎?
先進(jìn)制程顯然對(duì)吸引高利潤(rùn)率業(yè)務(wù)極為關(guān)鍵,各家企業(yè)早在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上展開(kāi)時(shí)間競(jìng)賽。如今,先進(jìn)制程的戰(zhàn)役已在10納米開(kāi)鑼?zhuān)^臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科共同推出10納米產(chǎn)品H...
晶圓廠通常使用光刻膠來(lái)圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來(lái)保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會(huì)在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小...
日本和荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄 共同推進(jìn)2nm***合作
據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省和荷蘭經(jīng)濟(jì)和氣候政策省于6月21日簽署了促進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域等合作的合作備忘錄(MOC: Memorandum of Coo...
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