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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

      +關(guān)注8人關(guān)注

      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：593個(gè) 瀏覽：86065次 帖子：0個(gè)

      euv資訊

      臺(tái)積電今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍 達(dá)到100萬片約當(dāng)12吋晶圓

      臺(tái)積電近日舉辦技術(shù)論壇，今年臺(tái)積電(TSM.US)總產(chǎn)能將以7納米成長最多，第二代加入EUV的7納米預(yù)計(jì)第3季量產(chǎn)，今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍，達(dá)到...

      2019-05-25 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓EUV 5076 0

      美光公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 將持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

      作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會(huì)，在大會(huì)中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

      2019-05-24 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 4232 0

      韓國三星首次研發(fā)5納米半導(dǎo)體工藝

      韓國《中央日報(bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導(dǎo)體的...

      2019-05-22 標(biāo)簽：芯片三星電子EUV 4882 0

      三星3nm工藝創(chuàng)新采用‘GAAFET結(jié)構(gòu)’ 芯片面積減少45％

      三星3nm工藝創(chuàng)新采用‘GAAFET結(jié)構(gòu)’ 芯片面積減少45％

      韓國三星電子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上發(fā)布工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Ar...

      2019-05-17 標(biāo)簽：三星電子EUV芯片工藝 8211 0

      英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨 并預(yù)期2021年7納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

      就在臺(tái)積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開始進(jìn)入10納米時(shí)代，預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6...

      2019-05-14 標(biāo)簽：處理器英特爾EUV 3473 0

      蘋果A13芯片將采用臺(tái)積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術(shù)

      彭博報(bào)道稱，臺(tái)積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產(chǎn)階段，并且計(jì)劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計(jì)A13芯片將采用臺(tái)積電的第二代7nm工藝，并且率先采用...

      2019-05-13 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電蘋果 4837 0

      三星使用EUV成功完成5nm FinFET工藝開發(fā)

      16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子...

      2019-04-18 標(biāo)簽：三星電子EUVFinFET工藝 6376 0

      我國成功研發(fā)出9nm線寬雙光束超衍射極限光刻試驗(yàn)樣機(jī) 打破國外技術(shù)壟斷

      4月10日記者從武漢光電國家研究中心獲悉，該中心甘棕松團(tuán)隊(duì)采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠(yuǎn)場光學(xué)的辦法，光刻出最小9納米線寬...

      2019-04-16 標(biāo)簽：EUV 8968 0

      三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

      4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。

      2019-04-16 標(biāo)簽：三星電子FinFETEUV 3263 0

      三星或從2019年6月份開始量產(chǎn)7納米EUV制程

      在 7 納米制程節(jié)點(diǎn)上，雖然三星宣稱時(shí)程上領(lǐng)先臺(tái)積電，而且選擇直接進(jìn)入 EUV 技術(shù)時(shí)代，不過實(shí)際進(jìn)度卻非如此，也使得之前自家的 Exynos 9820...

      2019-04-12 標(biāo)簽：三星電子EUV 3524 0

      臺(tái)積電推出采用EUV的5nm工藝設(shè)計(jì) 密度提高1.8倍，性能提高15％

      臺(tái)積電近日宣布，將基于該公司的開放式創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）提供完整版的5nm工藝設(shè)計(jì)制成。 據(jù)該公司稱，5nm工藝已經(jīng)處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，針對5G和人工智能市...

      2019-04-10 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓EUV 1210 0

      半導(dǎo)體技術(shù)微縮，新材料、材料純度和污染控制扮演重要角色

      然而，真正讓芯片效能提升的關(guān)鍵，并非只是晶體管越做越小，也可以用 3D 制程取代 2D，或是導(dǎo)入新材料來提升性能，像是 1997 年 IBM 在半導(dǎo)體制...

      2019-04-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓EUV 4054 0

      三星7納米EUV制程量產(chǎn)預(yù)計(jì)在2020年底前達(dá)成

      在當(dāng)前全球晶圓制造的先進(jìn)制程領(lǐng)域中，只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經(jīng)宣布量產(chǎn) 7 納米 EUV 制...

      2019-04-03 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電EUV 3071 0

      三星亦加快先進(jìn)制程布局 今年將推進(jìn)至采用EUV技術(shù)的5/4納米

      晶圓代工龍頭臺(tái)積電支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段，競爭對手韓國三星晶圓代工（Samsung Foundry）亦加快先進(jìn)制程布局，包...

      2019-03-18 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓 2880 0

      長江后浪推前浪，比《流浪地球》更硬核的光刻新紀(jì)元神作“EUV”已誕生！

      極紫外光刻時(shí)代的大幕已拉開……

      2019-02-27 標(biāo)簽：EUV 672 0

      三大半導(dǎo)體廠微影技術(shù)進(jìn)度一覽

      三大半導(dǎo)體廠微影技術(shù)進(jìn)度一覽

      臺(tái)積電總裁暨執(zhí)行長魏哲家在日前法人說明會(huì)中指出，7+nm良率推進(jìn)情況良好，預(yù)期第二季后進(jìn)入量產(chǎn)階段，臺(tái)積電已經(jīng)與數(shù)家客戶合作，協(xié)助其第二代或第三代產(chǎn)品設(shè)...

      2019-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電EUV 4138 0

      梁孟松：中芯國際12nm工藝研發(fā)獲得突破，2018年銷售收入達(dá)33.6億美元

      梁孟松博士指出：“我們努力建立先進(jìn)工藝全方位的解決方案，特別專注在FinFET技術(shù)的基礎(chǔ)打造，平臺(tái)的開展，以及客戶關(guān)系的搭建。目前中芯國際第一代FinF...

      2019-02-16 標(biāo)簽：中芯國際EUVFinFET技術(shù) 1.6萬 0

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        　　手機(jī)拆解過程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報(bào)廢汽車的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個(gè)車架被送進(jìn)一個(gè)巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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        醫(yī)用機(jī)器人，是指用于醫(yī)院、診所的醫(yī)療或輔助醫(yī)療的機(jī)器人。是一種智能型服務(wù)機(jī)器人，它能獨(dú)自編制操作計(jì)劃，依據(jù)實(shí)際情況確定動(dòng)作程序，然后把動(dòng)作變?yōu)椴僮鳈C(jī)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)。
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        瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
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        Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，特別專注于互聯(lián)和機(jī)電產(chǎn)品。
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        RISC-V是一個(gè)基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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        梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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