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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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ASML新財(cái)報(bào):銷售額與毛利率雙雙超越預(yù)期
荷蘭時(shí)間2019年7月17日,ASML Holding N.V.(ASML)公布了2019年第二季度財(cái)報(bào)
日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈 將直接影響三星電子EUV工藝研發(fā)進(jìn)度
近日,日韓貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈,日本宣布氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫(Eatching Ga...
7月11日消息,知情人士表示,由于日本針對(duì)對(duì)韓國產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要的半導(dǎo)體材料實(shí)施更嚴(yán)格的出口管制,三星電子明年初推出其最先進(jìn)處理器芯片的雄心計(jì)劃可能會(huì)被推遲。
臺(tái)積電最新的18廠,將在明年第一季量產(chǎn)5納米制程,領(lǐng)先英特爾、三星一年以上。
Cadence 數(shù)字全流程解決方案通過三星5LPE工藝認(rèn)證
采用極紫外(EUV)光刻技術(shù)的Cadence 數(shù)字全流程解決方案已通過Samsung Foundry 5nm早期低功耗版(5LPE)工藝認(rèn)證。
三星5nm取得重要進(jìn)展 可以帶來25%的邏輯電路能效提升
眼下,臺(tái)積電和三星都在全力沖刺5nm工藝,這將是7nm之后的又一個(gè)重要節(jié)點(diǎn),全面應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù),提升效果會(huì)非常明顯,所以都受到了高度重視。
三星今年9月份將完成7nmEUV工藝生產(chǎn)線 明年1月份量產(chǎn)
隨著NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工,三星在晶圓代工市場上總算又拉來一個(gè)客戶,如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂...
ASML新一代EUV設(shè)備預(yù)計(jì)2025年正式量產(chǎn)
當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮已經(jīng)來到10納米節(jié)點(diǎn)以下,EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備,包括現(xiàn)在的7納米制程,以及未來5納米、3納米甚至2納米制程都將采...
DRAM大廠工藝推進(jìn)1z納米 導(dǎo)入EUV設(shè)備擴(kuò)大競爭門檻
2019年上半DRAM價(jià)格下跌壓力沉重,盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升,預(yù)料將有望支撐跌價(jià)趨緩,為了提高生產(chǎn)效益及拉大競爭差距,DRAM大...
根據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo),曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價(jià)格直直落,短期看不到止跌訊號(hào)的情況下,也頂不住生產(chǎn)成本的壓力,開始...
DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下,已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM,主要目的是為了降低成本。
臺(tái)積電官宣2nm研發(fā)啟動(dòng) N5P量產(chǎn)預(yù)計(jì)落在2021年
6月18日,臺(tái)積電在上海舉辦了2019中國技術(shù)論壇(TSMC2019 Technology Symposium)。臺(tái)積電總裁魏家哲介紹了先進(jìn)工藝的發(fā)展規(guī)...
多家DRAM廠商開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)
繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評(píng)估采用EUV技術(shù)...
這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩,但是在半導(dǎo)體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm,臺(tái)積電、...
ASML放棄EUV光罩防塵薄膜研發(fā)并技轉(zhuǎn)日本三井化學(xué)
ASML將中斷EUV Pellicle(光罩防塵薄膜)技術(shù)的研發(fā),并將該技術(shù)轉(zhuǎn)讓與日本。
NVIDIA或?qū)⒅匦聯(lián)肀?新圖形芯片Ampere將采用三星7nmEUV制程
6月4日消息,據(jù)Digitimes報(bào)道,臺(tái)積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,7nm制程包攬了大廠訂單,三星決定跳過7nm制程,直接上7nm LPP EVU制程。
5納米節(jié)點(diǎn)是首個(gè)從開始就使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)做出來的。在波長只有13.5納米的情況下,EUV燈可以在硅上產(chǎn)生非常精細(xì)的圖案。其中一些圖案可以用上...
臺(tái)積電 | 首次加入EUV極紫外光刻技術(shù) 7nm+工藝芯片已量產(chǎn)
臺(tái)積電官方宣布,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝,這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù),意義非凡。
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