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標(biāo)簽 > euv
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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臺(tái)積電搶進(jìn)3D封裝技術(shù) 日月光不會(huì)直接競(jìng)爭(zhēng)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入20nm以下制程后,不但封測(cè)技術(shù)愈加困難、投資門(mén)坎也愈來(lái)愈高,IC封測(cè)龍頭廠日月光(2311)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)吳田玉表示,臺(tái)積電(2330)本身就是...
據(jù)說(shuō)三星將從8月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片,預(yù)計(jì)首款SoC將是Exynos 992。DigiTimes的一份報(bào)告指出,該技術(shù)龐然大物在保持令人滿(mǎn)意的良率方...
全球芯片供給過(guò)剩跡象明顯,ASML內(nèi)藏隱憂(yōu)
ASML的主要產(chǎn)品是光刻機(jī),而光刻機(jī)的客戶(hù)相當(dāng)有限,其中最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)客戶(hù)如今更是剩下臺(tái)積電、三星和Intel三家,如此情況下決定ASML業(yè)績(jī)的...
中國(guó)人用了30年望見(jiàn)計(jì)算力的珠峰
14億人的戰(zhàn)爭(zhēng): 中國(guó)人用了30年望見(jiàn)計(jì)算力的珠峰文 | 史中 日本是一個(gè)喜歡畫(huà)面感的民族。 從浮世繪、歌舞伎,到茶道、花道,到活著就是為了打籃球的《灌...
三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證
Synopsys宣布,Synopsys Design Platform已通過(guò)全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證,支持三星代工部門(mén)的8nm LPP(...
當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月14日,半導(dǎo)體巨頭、全球光刻機(jī)領(lǐng)頭企業(yè)ASML首席財(cái)務(wù)官羅杰達(dá)森(Roger Dassen),對(duì)向中國(guó)出口光刻機(jī)的問(wèn)題作出了表態(tài)。他表示,...
三星計(jì)劃基于GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體
EUV是一種具有13.5納米短波長(zhǎng)的光源。與其他光源相比,其波長(zhǎng)短十倍。這表明EUV能夠在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建更精細(xì),更詳細(xì)的圖案。同樣,它能夠減少工藝數(shù)量...
臺(tái)積電已安裝了全世界約50%的激活EUV機(jī)器
在本周召開(kāi)的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上,最重要的中心信息之一是,該公司在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位,特別是在領(lǐng)先的工藝技術(shù)領(lǐng)域。
消息稱(chēng)美光或開(kāi)發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)
根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出,目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光(Micron),因日前招聘網(wǎng)站開(kāi)始征求E...
ASML的EUV光刻機(jī)已成臺(tái)積電未來(lái)發(fā)展的“逆鱗”
臺(tái)積電是第一家將EUV(極紫外)光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè),目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
新一期《光學(xué)學(xué)報(bào)》發(fā)表特邀綜述,透露我國(guó)EUV光刻物鏡系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)進(jìn)展
論文介紹說(shuō),2002年,中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械及物理研究所研制出國(guó)內(nèi)最早由Schwarzschild物鏡組成的euv光角原理實(shí)驗(yàn)裝置,實(shí)現(xiàn)了0.75...
2023-08-18 標(biāo)簽:光學(xué)系統(tǒng)EUV精密機(jī)械 1590 0
韓國(guó)公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國(guó)公司的差距
特別是,韓國(guó)公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國(guó)公司的差距。2019年,韓國(guó)本土提出的專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量為40件,超過(guò)了國(guó)外企業(yè)的10件。這是韓國(guó)提交的...
美國(guó)要求荷蘭ASML進(jìn)一步限制DUV***出口到中國(guó)
奮斗不息! ? 美國(guó)芯片法案-2022 1 對(duì)華限制 關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的小伙伴們都知道,前不久美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局(BIS)對(duì)中國(guó)實(shí)施了芯片出口管制措施,...
Intel 4 工藝對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要的里程碑,因?yàn)樗怯⑻貭柕谝粋€(gè)集成 EUV 的工藝,也是第一個(gè)跨越陷入困境的 10nm 節(jié)點(diǎn)的工藝。對(duì)于英特...
臺(tái)積電正在使用具有EUV層的制造技術(shù)來(lái)提高產(chǎn)量
在今年早些時(shí)候,臺(tái)積電表示,公司已在全球范圍內(nèi)部署并運(yùn)行了大約50%的所有極紫外(EUV)光刻工具,這意味著該公司使用的EUV機(jī)器比業(yè)內(nèi)任何其他公司都要...
具有13.5nm波長(zhǎng)源的高數(shù)值孔徑系統(tǒng)將提高亞13nm半間距曝光所需的分辨率,以及更大的圖像對(duì)比度以實(shí)現(xiàn)更好的印刷線均勻性。High-NA EUV光刻的...
三星與當(dāng)?shù)卣炗嗛_(kāi)發(fā)協(xié)議,要求政府指定資源,并建立與場(chǎng)地開(kāi)發(fā)和建筑施工活動(dòng)審查、批準(zhǔn)和檢查快速流程。三星暫時(shí)未公布新建計(jì)劃,有人猜測(cè)可能只是存儲(chǔ)材料庫(kù)...
臺(tái)積電PK三星7納米制程 EUV成為關(guān)鍵
“7納米是很重要的節(jié)點(diǎn),是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。三星和臺(tái)積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米,而EUV是摩爾定律能夠進(jìn)一步延...
韓國(guó)加快研發(fā)EUV光刻技術(shù),專(zhuān)利申請(qǐng)量猛增
援引韓媒 BusinessKorea 報(bào)道,以三星為代表的韓國(guó)企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。根據(jù)對(duì)韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)過(guò)去十年(20...
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