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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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ASML新一代EUV設(shè)備預(yù)計(jì)2025年正式量產(chǎn)

當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮已經(jīng)來(lái)到10納米節(jié)點(diǎn)以下，EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備，包括現(xiàn)在的7納米制程，以及未來(lái)5納米、3納米甚至2納米制程都將采...

2019-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV ASML 2997 0

未來(lái)極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展?產(chǎn)業(yè)格局如何演變?

近日，荷蘭的光刻機(jī)制造商阿斯麥（ASML）發(fā)布2020年度財(cái)報(bào)，全年凈銷售額達(dá)到140億歐元，毛利率達(dá)到48.6%。ASML同時(shí)宣布實(shí)現(xiàn)第100套極紫外...

2021-02-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2996 0

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。

2020-03-25 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 EUV 2972 0

臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利已經(jīng)有早期客戶參與

近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來(lái)了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對(duì)自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步...

2019-07-24 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 EUV 2947 0

NVIDIA或?qū)⒅匦聯(lián)肀?新圖形芯片Ampere將采用三星7nmEUV制程

6月4日消息，據(jù)Digitimes報(bào)道，臺(tái)積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，7nm制程包攬了大廠訂單，三星決定跳過(guò)7nm制程，直接上7nm LPP EVU制程。

2019-06-05 標(biāo)簽：三星電子 NVIDIA 圖形芯片 2940 0

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺(tái)積電，三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn)：7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后，按照官方最新給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5n...

2019-08-02 標(biāo)簽：三星電子 EUV 2939 0

EUV技術(shù)量產(chǎn)進(jìn)入最后沖刺階段

盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問(wèn)題以及緊迫的時(shí)間，專家們?nèi)匀槐С謽?lè)觀態(tài)度...

2018-06-01 標(biāo)簽：EUV 微影技術(shù) 2933 0

關(guān)于EUV機(jī)臺(tái)的性能分析和應(yīng)用介紹

臺(tái)積電方面也同時(shí)參與。當(dāng)時(shí)消息顯示，臺(tái)積電將以8.38億歐元購(gòu)買ASML的5%股權(quán)，并同意在下一代光刻技術(shù)如超紫外技術(shù)和450毫米光刻設(shè)備的研發(fā)上向AS...

2019-09-04 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 EUV 2927 0

臺(tái)積電2019年10納米及7納米年總產(chǎn)能較今年將增加3倍

晶圓代工龍頭臺(tái)積電7納米已進(jìn)入量產(chǎn)，第四季可望再爭(zhēng)取到超微（AMD）中央處理器及高通智能手機(jī)芯片訂單，并在明年放量投片。外資圈指出，臺(tái)積電2019年10...

2018-06-21 標(biāo)簽：處理器芯片臺(tái)積電 2924 0

三星EUV光刻膠需求找不到替代，進(jìn)軍代工行業(yè)老大有難度

據(jù)businessKorea報(bào)道，自去年7月日本開始限制對(duì)韓國(guó)的出口以來(lái)，三星仍沒(méi)有找到為EUV技術(shù)提供足夠光刻膠的替代供應(yīng)商。到2030年成為全球代工...

2019-11-29 標(biāo)簽：三星電子 euv 2911 0

三星欲每年投91億美元建立EUV量產(chǎn)體制

目前，三星7nm EUV技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，在2019下半年將完成的韓國(guó)華城7nm EUV工藝生產(chǎn)線，將在2020年1月份量產(chǎn)，5nm制程也計(jì)劃在2020年上...

2019-11-14 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 euv 2882 0

三星亦加快先進(jìn)制程布局今年將推進(jìn)至采用EUV技術(shù)的5/4納米

晶圓代工龍頭臺(tái)積電支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)三星晶圓代工（Samsung Foundry）亦加快先進(jìn)制程布局，包...

2019-03-18 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓 2880 0

三星李在镕親自到歐洲斡旋購(gòu)買光刻機(jī) 追擊臺(tái)積電火力全開

韓國(guó)財(cái)經(jīng)媒體Business Korea報(bào)導(dǎo)，三星電子副會(huì)長(zhǎng)、三星集團(tuán)實(shí)際大當(dāng)家李在镕上周到荷蘭拜訪ASML談合作，最重要目的其實(shí)是親自催促對(duì)方，提前1...

2020-10-28 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 EUV 2851 0

三星與臺(tái)積電投入巨額資金加速3nm工藝研發(fā) 將只有土豪公司才用得起

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝...

2020-01-16 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 EUV 2849 0

三星預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線且最快在今年底開始生產(chǎn)5nm工藝

2020年，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級(jí)到5nm了，臺(tái)積電最近上半年就開始量產(chǎn)5nm EUV工藝，而三星也加碼投資，預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。

2020-03-13 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 EUV 2848 0

半導(dǎo)體進(jìn)入周期性疲軟行業(yè)急需技術(shù)創(chuàng)新

近日，半導(dǎo)體風(fēng)向球、芯片制造業(yè)舉足輕重的公司——應(yīng)用材料（AMAT）公布了截止2018年10月28日的2018 Q4財(cái)報(bào)，盡管符合市場(chǎng)預(yù)期，但本季營(yíng)收卻...

2018-11-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV 2842 0

ASML與卡爾蔡司合作研發(fā)EUV光刻系統(tǒng) 2024年問(wèn)世

半導(dǎo)體制造工藝是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心，未來(lái)摩爾定律是否還能主宰產(chǎn)業(yè)發(fā)展就得看半導(dǎo)體工藝是否能在10nm以下的工藝?yán)^續(xù)突破了，而在這個(gè)問(wèn)題上，荷蘭ASML公...

2016-11-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 2841 0

臺(tái)積電或在2022年開始3nm工藝的規(guī)模量產(chǎn) 比原定計(jì)劃提前一年

雖然半導(dǎo)體工藝提升越來(lái)越困難，但是被譽(yù)為天字一號(hào)代工廠的臺(tái)積電，這幾年卻仿佛打了雞血，進(jìn)展神速，讓Intel、三星都望塵莫及。

2019-12-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV 2835 0

Intel還在努力推進(jìn)7nm工藝，最快2021年量產(chǎn)

　7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。

2019-10-12 標(biāo)簽：處理器晶體管 EUV 2830 0

未來(lái)幾年“中國(guó)芯”最有可能在哪些方向突破?

7納米、5納米先進(jìn)工藝能突破嗎？高端光刻機(jī)裝備可以“中國(guó)造”嗎？卡脖子技術(shù)體現(xiàn)在哪些方面？未來(lái)幾年“中國(guó)芯”最有可能在哪些方向突破？

2020-12-20 標(biāo)簽：芯片集成電路光刻機(jī) 2797 0

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