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標簽 > euv
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機的技術(shù)、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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Dai Nippon Printing Co., Ltd.(DNP)近期在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破,成功實現(xiàn)了適用于超2nm(納米,即10^-9...
2024-12-23 標簽:硅晶圓DNP半導(dǎo)體制造 423 0
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻...
美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點發(fā)展EUV光刻技術(shù)
拜登政府已宣布一項重大投資決策,計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設(shè)國家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)的核心設(shè)施。據(jù)美國商務(wù)部透露,奧爾巴尼...
美光預(yù)測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM
隨著人工智能技術(shù)日益普及,從云端服務(wù)器拓展至消費級設(shè)備,對高級內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢,美光科技已將其高帶寬內(nèi)存(HBM)的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...
ASML CEO傅恪禮:亞洲將繼續(xù)主導(dǎo)芯片行業(yè)
ASML總裁兼CEO傅恪禮近日在接受外媒采訪時指出,盡管西方國家正在積極增加芯片生產(chǎn),但亞洲在芯片行業(yè)中的主導(dǎo)地位不太可能發(fā)生改變。
新型EUVL技術(shù)問世,超越半導(dǎo)體制造標準線
來源:Trend Force 據(jù)STDaily援引日本沖繩科學(xué)技術(shù)研究生院(OIST)官網(wǎng)近日報道稱,該大學(xué)設(shè)計出一種超越半導(dǎo)體制造標準邊界的極紫外(E...
日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當前半導(dǎo)體...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競速:Hyper-NA EUV光刻機挑戰(zhàn)與機遇并存
在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基石,正以前所未有的速度向前躍進。隨著人工智能、汽車電子等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對芯片制造技術(shù)的要求也日益嚴...
ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機,將芯片密度限制再縮小
ASML再度宣布新光刻機計劃。據(jù)報道,ASML預(yù)計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(EUV),將縮小最高電晶體密度芯片的設(shè)計限制。 ASML前...
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 隨著英特爾、三星、臺積電以及日本即將落成的先進晶圓代工廠 Rapidus盡管各家公司都各自準備將...
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”解析
半導(dǎo)體技術(shù)是現(xiàn)代電子科技的核心,它的發(fā)展水平直接體現(xiàn)了一個國家的科技實力。近年來,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然取得了長足進步,但仍有一些核心技術(shù)尚未完全掌握。本文...
2024-06-06 標簽:芯片半導(dǎo)體封裝EUV 2455 0
ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄,提出Hyper-NA的激進方案
ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布,其首臺High-NA(高數(shù)值孔徑)設(shè)備已經(jīng)打破了之前創(chuàng)下的記錄,再次刷新了芯片制造密度的標準。
臺積電魏哲家與ASML高層會面,是否有意購買高數(shù)值孔徑極紫外光機臺?
此前,該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示,過早引入High-NA EUV并無太大經(jīng)濟效益,直到日前其秘密訪問ASML總部,使市場猜測臺積電是否因此事發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。
2024-05-29 標簽:臺積電EUV半導(dǎo)體行業(yè) 578 0
據(jù)悉,新廠將采用EUV光刻機技術(shù),并計劃在2025年量產(chǎn)的下一代1-gamma(nm)節(jié)點引入EUV光刻技術(shù)。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期,新廠有望具備生...
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意,未采用高NA EUV光刻機
在全球四大先進制程代工巨頭(包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus)中,只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規(guī)模生產(chǎn)。
來源:國芯網(wǎng),謝謝 編輯:感知芯視界 Link 5月22日消息,據(jù)外媒報道,臺積電從ASML購買的EUV極紫外光刻機,暗藏后門,可以在必要的時候執(zhí)行遠程...
范登布林克指出,更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進一步解釋說,Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產(chǎn)流程,避免因使用 High NA 光刻機進行雙...
英特爾競購High-NA EUV設(shè)備,臺積電決定回避
另一方面,臺積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行,備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級電軌架構(gòu)。
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