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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產euv光刻機發(fā)展等內容。

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光刻膠材料的制備和基本要素

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浸沒式光刻原理淺析

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2019-08-08 標簽：EUV 光刻膠 2.0萬 0

講述EUV是什么？

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2018-06-29 標簽：半導體 euv 1.5萬 0

關于EUV光刻機的分析介紹

格芯首席技術官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是...

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國產***EUV與DUV的分類

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2023-03-20 標簽：光刻機 EUV DUV 1.3萬 0

面對EUV光刻技術，芯片制造商如何權衡復雜分類

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2017-09-29 標簽：英特爾光刻技術 EUV 1.2萬 0

干貨！光刻技術的原理和EUV光刻技術前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實施，都離不開光刻的技術。

2019-03-02 標簽：光刻 EUV 1.2萬 0

極紫外光微影(EUV)技術據稱將在5納米(nm)節(jié)點時出現隨機缺陷

Borodovsky在采訪中表示，另一個可能導致5nm缺陷的因素是現有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫入，因為EUV使用的復...

2018-04-11 標簽：英特爾臺積電 euv 1.2萬 0

極紫外（EUV）光刻新挑戰(zhàn) 光刻膠只是其一

光刻膠是用來制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機性效應的罪魁禍首之一。根據定義，隨機效應描述了具有光量子隨機變化的事件。它們是不可預測的，沒有穩(wěn)定的模式。

2018-03-27 標簽：euv 光刻膠 1.1萬 0

芯片制造之光刻工藝詳細流程圖

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試...

2023-06-09 標簽：芯片制造光刻機 EUV 9946 0

光學光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應

對先進光刻掩膜光衍射的精密EMF模擬已成為預知光刻模擬的必做工作。

2012-05-04 標簽：晶圓光刻 EUV 7228 0

***工藝流程圖及成像過程詳解

IGBT相比MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT...

2023-06-06 標簽：MOSFET IGBT 芯片制造 6572 0

光刻機的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機經歷了5代產品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標簽：芯片集成電路芯片制造 6438 0

淺析光刻技術的原理和EUV光刻技術前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實施，都離不開光刻的技術。光刻也是制造芯片的最關...

2019-02-25 標簽：光刻 EUV 6270 0

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 標簽：集成電路 PAC 光刻機 5772 0

看一下EUV光刻的整個過程

EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術，簡單來說，就是以極紫外光作“刀”，對芯片上的晶圓進行雕刻，讓芯片上的電路變成人...

2022-10-10 標簽：光刻機 EUV ASML 5588 0

芯片晶體管是實現技術詳解

半導體產業(yè)毋庸置疑是近百年最為激動人心的領域，正是這無數的晶體管一代又一代的更新變革才有了近些年幾乎爆炸式的IT 技術進步。

2018-12-03 標簽：芯片晶體管 EUV 5279 0

EUV曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野

技術節(jié)點的發(fā)展推動著半導體曝光技術解像度(Half Pitch)的發(fā)展，ArF液浸曝光技術和EUV曝光技術等的解像度(R)和曝光波長(λ)成正比，和光學...

2019-01-17 標簽：半導體 EUV ASML 5203 0

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